cyclopropyl groupとは 意味・読み方・使い方

BASE COMPRISING CYCLOPROPYL GROUP INTRODUCED THEREINTO AND DNA COMPRISING THE SAME例文帳に追加

シクロプロピル基導入塩基及びそれを含有したＤＮＡ - 特許庁

To obtain a new compound having a new structure characterized by the presence of a cyclopropyl group bound to an aminopyrroline ring and useful for treating cardiovascular diseases, especially arterial hypertension, arrhythmia and diseases related thereto.例文帳に追加

アミノピロリン環と結合したシクロプロピル基の存在を特徴とする新規構造を有し、心血管疾患、特に動脈性高血圧症、不整脈及びその関連疾患の処置に有用である新規化合物を提供する。 - 特許庁

There is provided the compound represented by formula (I), (wherein, R^1 is a specific alkyl group such as isopropyl, cyclopropyl, 1,3-difluoropropyl, and HET-1 and HET-2 are each a specific heterocyclic ring).例文帳に追加

式（Ｉ）：（式中、Ｒ^１は、イソプロピル、シクロペンチル、１，３−ジフルオロプロピル等の特定のアルキル基を示し、ＨＥＴ−１およびＨＥＴ−２は、各々特定の複素環を示す）で示される化合物。 - 特許庁

To obtain a new compound comprising a cyclic hydrocarboncarboxylic acid having a cyclopropyl functional group, having a biological activity equal to that of vitamin E in vivo, thus having more beneficial effect.例文帳に追加

生体においてビタミンＥに等しい生物学的活性有し、且つより有益な効果を有する新規薬物学的活性化合物及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In the formula, R_1 represents a heteroarylalkyl or the like; R_3 is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl and the like; R_4 represents 2,2,3,3-tetramethyl cyclopropyl or the like; R_5, R_6, R_7 and R_8 are independently selected from hydrogen, alkenyl, carboxy, cyano and the like.例文帳に追加

（式中、Ｒ１がヘテロアリールアルキルなどであり、Ｒ３が水素およびアルキルなどからなる群から選択され、Ｒ４が２，２，３，３−テトラメチルシクロプロピル等、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、独立に水素、アルケニル、カルボキシ、シアノ等から選択される） - 特許庁

This Si-containing film is produced by the PECVD method by using the Si-containing film-forming material containing an organosilane compound having a structure in which at least one cyclopropyl group directly bonds with a silicon atom (a concrete example is 2,4,6-tricyclopropyl-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxane), and the same is used as an insulation film of a semiconductor device.例文帳に追加

少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 - 特許庁