density slicingとは 意味・読み方・使い方

To provide a nondestructive evaluation method of a compound semiconductor wafer requiring no slicing of a sample other than a product sample in which dislocation density of a high level wafer having a mean dislocation density of 100/cm2 or less can be evaluated correctly without requiring a troublesome etching operation.例文帳に追加

製品とならない試料サンプルの切り出しを必要としない非破壊形式の評価方法であって、しかも、手間のかかるエッチング加工を必要とせず、さらに、平均転位密度が１００個／ｃｍ^2 以下の高水準のウエハを対象としたときに正しく転位密度の評価を行うことのできる化合物半導体ウエハの品質評価方法を提供する。 - 特許庁

The silicon wafer manufacturing method is processed by slicing a silicon single-crystal ingot 8, pulled from a silicon melt 5 of nitrogen-doped polysilicon using the Czochralski method to produce a silicon wafer, annealing this wafer with hydrogen to reduce crystal defects on the surface layer, and increasing the BMD density in the wafer.例文帳に追加

ポリシリコンに窒素をドープしたシリコン融液５からチョクラルスキー法を用いて引上げられたシリコン単結晶インゴット８をスライスしてシリコンウェーハを製造し、このシリコンウェーハを水素アニールして、表層の結晶欠陥を減少させ、ウェーハ内部のＢＭＤ密度を高めることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

This high quality SiC wafer having a bottom face dislocation density of less than 500 cm^-2 on a wafer and at least 1 square inch continuous surface region is obtained by forming a SiC boule having a diameter of a little larger than 3 inches by a seed sublimation growth method, then slicing the boule at an angle between about 2° and 12° to 0001 plane, and further polishing it.例文帳に追加

シード昇華成長法により、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成した後、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で該ブールをスライスし、さらに研磨することにより、ウェハ上に５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域とを有する高品質のＳｉＣウェハが得られる。 - 特許庁