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direct current argon plasmaとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 直流アルゴンプラズマ
「direct current argon plasma」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3件
The treatment layer 33 is formed by applying a direct-current pulse voltage to the substrate 30 and generating plasma in an atmosphere containing argon gas and hydrogen gas.例文帳に追加
処理層33は、直流パルス電圧を基材30に印加して、アルゴンガスおよび水素ガスを含む雰囲気中でプラズマを発生させることにより形成されている。 - 特許庁
This method of producing the subject compounded microparticles comprises the following process: in a direct current arc plasma device, a raw material containing both silver and titanium served as consumptive anode, a plasma flame such as of argon gas is generated from the cathode to heat and vaporize both the silver and titanium from the consumptive anode, and the resultant raw material in a plasma condition is oxidized and cooled.例文帳に追加
直流アークプラズマ装置において、銀およびチタンを含有した原料を消費アノード電極とし、カソード電極からアルゴンガス等のプラズマフレームを発生させ、消費アノードの銀およびチタンを加熱、蒸発させ、そのプラズマ状態の原料を酸化、冷却することによって銀微粒子を複合した二酸化チタン微粒子の製造方法が提供される。 - 特許庁
To provide a zinc oxide-based oxide sintered compact from which a film having a specific resistance lower than 3×10^-3 Ω×cm can be obtained by sputtering even in the case that the arrived vacuum degree in a vacuum vessel of a sputtering device before introducing argon gas and generating direct-current plasma does not reach 5×10^-5 Pa; and a sputtering target using the same.例文帳に追加
アルゴンガスを導入して直流プラズマを発生させる前のスパッタリング装置の真空容器内の到達真空度が5×10^-5Paにまで達しなくても、スパッタリングによって得られる膜の比抵抗を3×10^-3Ω・cmよりも小さくすることができる酸化亜鉛系酸化物焼結体およびそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
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