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意味・対訳 転位密度


JST科学技術用語日英対訳辞書での「dislocation density」の意味

dislocation density


「dislocation density」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 362



例文

The second dislocation density is larger than the first dislocation density.例文帳に追加

第2の転位密度は、第1の転位密度よりも大きい。 - 特許庁

DETECTION METHOD OF DISLOCATION, MEASURING METHOD OF NUMBER OF DISLOCATION, MEASURING METHOD OF DISLOCATION DENSITY, AND CALCULATION METHOD OF GAN CRYSTAL SUBSTRATE AND DISLOCATION DENSITY例文帳に追加

転位の検出方法、転位数の測定方法、転位密度の測定方法、GaN結晶基板および転位密度の算出方法 - 特許庁

The ratio of the dislocation density of the high dislocation density 20h to the average dislocation density is sufficiently large for preventing propagation of cracks of the substrate.例文帳に追加

ここで、平均転位密度に対する高転位密度20hの転位密度の比が基板のクラックの伝搬を阻止するのに十分な大きさである。 - 特許庁

The threading dislocation density D_12 of a second area 15b is larger than the threading dislocation density D_1.例文帳に追加

第2の領域15bは貫通転位密度D_1より大きい貫通転位密度D_12を有する。 - 特許庁

The GaN grown in second time has a further low dislocation density because the dislocation density in the surface of the seed crystal is low.例文帳に追加

表面の転位密度が低いので、2度目に成長したGaNはさらに低転位になる。 - 特許庁

First, a GaN substrate 14 having a low-dislocation region 10 and a high-dislocation region 12, whose dislocation density is higher than that of the low-dislocation region 10, is prepared.例文帳に追加

まず、低転位領域10と、低転位領域10よりも転位密度が高い高転位領域12とを有するGaN基板14を準備する。 - 特許庁

例文

A gallium nitride based substrate 13 includes a first region 13c having a larger dislocation density than a first dislocation density, and a second region 13d having a smaller dislocation density than the first dislocation density.例文帳に追加

窒化ガリウム系基板13は、第1の転位密度より大きい転位密度を有する第1の領域13cと、第1の転位密度より小さい転位密度を有する第2の領域13dとを含む。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「dislocation density」の意味

dislocation density


「dislocation density」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 362



例文

A gallium nitride based semiconductor region 15 includes a first region 15c having a larger dislocation density than a second dislocation density, and a second region 15d having a smaller dislocation density that the second dislocation density.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域15は、第2の転位密度より大きい転位密度を有する第1の領域15cと、第2の転位密度より小さい転位密度を有する第2の領域15dとを含む。 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING DISLOCATION DENSITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

III族窒化物結晶の転位密度の評価方法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING DISLOCATION DENSITY OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

半導体発光素子の転位密度低減方法 - 特許庁

The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most10^5 cm^-2.例文帳に追加

本III族窒化物単結晶自立基板は、1つ以上の高転位密度領域20hと、高転位密度領域20hよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域20kと、を含み、平均転位密度が5×10^5cm^-2以下である。 - 特許庁

The dislocation density of the dislocation texture is 1×10^4 cm^-2 or higher and 1×10^12 cm^-2 or lower.例文帳に追加

転位組織の転位密度は、1×10^4 cm^-2以上1×10^12cm^-2以下であった。 - 特許庁

The sliced substrate has a low dislocation density because the dislocation runs in parallel to the surface.例文帳に追加

スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。 - 特許庁

P atoms of the GaNP layer are selectively incorporated at dislocation positions to terminate the dislocation there and reduce the dislocation density of the GaN layer.例文帳に追加

GaNP層のP原子が転位の位置に選択的に取り込まれて、転位をそこで終端させ、GaN層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

例文

To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal.例文帳に追加

III族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるIII族窒化物結晶の評価方法を提供する。 - 特許庁

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