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dislocation densityとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 転位密度
「dislocation density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 362件
The second dislocation density is larger than the first dislocation density.例文帳に追加
第２の転位密度は、第１の転位密度よりも大きい。 - 特許庁
DETECTION METHOD OF DISLOCATION, MEASURING METHOD OF NUMBER OF DISLOCATION, MEASURING METHOD OF DISLOCATION DENSITY, AND CALCULATION METHOD OF GAN CRYSTAL SUBSTRATE AND DISLOCATION DENSITY例文帳に追加
転位の検出方法、転位数の測定方法、転位密度の測定方法、ＧａＮ結晶基板および転位密度の算出方法 - 特許庁
The GaN grown in second time has a further low dislocation density because the dislocation density in the surface of the seed crystal is low.例文帳に追加
表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。 - 特許庁
A gallium nitride based substrate 13 includes a first region 13c having a larger dislocation density than a first dislocation density, and a second region 13d having a smaller dislocation density than the first dislocation density.例文帳に追加
窒化ガリウム系基板１３は、第１の転位密度より大きい転位密度を有する第１の領域１３ｃと、第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域１３ｄとを含む。 - 特許庁
The ratio of the dislocation density of the high dislocation density 20h to the average dislocation density is sufficiently large for preventing propagation of cracks of the substrate.例文帳に追加
ここで、平均転位密度に対する高転位密度２０ｈの転位密度の比が基板のクラックの伝搬を阻止するのに十分な大きさである。 - 特許庁
METHOD FOR REDUCING DISLOCATION DENSITY OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加
半導体発光素子の転位密度低減方法 - 特許庁
A misfit dislocation density at an interface 27a is lower than a misfit dislocation density at an interface 27b.例文帳に追加
界面２７ａにおけるミスフィット転位密度は界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度より低い。 - 特許庁
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「dislocation density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 362件
The threading dislocation density D_12 of a second area 15b is larger than the threading dislocation density D_1.例文帳に追加
第２の領域１５ｂは貫通転位密度Ｄ_１より大きい貫通転位密度Ｄ_１２を有する。 - 特許庁
A gallium nitride based semiconductor region 15 includes a first region 15c having a larger dislocation density than a second dislocation density, and a second region 15d having a smaller dislocation density that the second dislocation density.例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体領域１５は、第２の転位密度より大きい転位密度を有する第１の領域１５ｃと、第２の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域１５ｄとを含む。 - 特許庁
The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.例文帳に追加
本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁
Thereby, a self-standing GaN substrate having surface dislocation density of 4×10^7 cm^-2, rear surface dislocation density of 8×10^5 cm^-2, and a dislocation density ratio of 50 can be obtained.例文帳に追加
以上のようにして、表面転位密度４×１０^７ｃｍ^−２、裏面転位密度８×１０^５ｃｍ^−２、転位密度比５０の自立ＧａＮ基板が得られる。 - 特許庁
The sliced substrate has a low dislocation density because the dislocation runs in parallel to the surface.例文帳に追加
スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。 - 特許庁
METHOD OF EVALUATING DISLOCATION DENSITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価方法 - 特許庁
First, a GaN substrate 14 having a low-dislocation region 10 and a high-dislocation region 12, whose dislocation density is higher than that of the low-dislocation region 10, is prepared.例文帳に追加
まず、低転位領域１０と、低転位領域１０よりも転位密度が高い高転位領域１２とを有するＧａＮ基板１４を準備する。 - 特許庁
A conductive gallium nitride substrate 13 comprises a first region 13c having first dislocation density, and a second region 13d having second dislocation density smaller than the first dislocation density.例文帳に追加
導電性窒化ガリウム基板１３は、第１の転位密度を有する第１の領域１３ｃと、第１の転位密度より小さい第２の転位密度を有する第２の領域１３ｄとを含む。 - 特許庁
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