「dislocation density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR REDUCING DISLOCATION DENSITY OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

半導体発光素子の転位密度低減方法 - 特許庁

A misfit dislocation density at an interface 27a is lower than a misfit dislocation density at an interface 27b.例文帳に追加

界面２７ａにおけるミスフィット転位密度は界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度より低い。 - 特許庁

The threading dislocation density D_12 of a second area 15b is larger than the threading dislocation density D_1.例文帳に追加

第２の領域１５ｂは貫通転位密度Ｄ_１より大きい貫通転位密度Ｄ_１２を有する。 - 特許庁

A gallium nitride based semiconductor region 15 includes a first region 15c having a larger dislocation density than a second dislocation density, and a second region 15d having a smaller dislocation density that the second dislocation density.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１５は、第２の転位密度より大きい転位密度を有する第１の領域１５ｃと、第２の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域１５ｄとを含む。 - 特許庁

The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.例文帳に追加

本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

Thereby, a self-standing GaN substrate having surface dislocation density of 4×10^7 cm^-2, rear surface dislocation density of 8×10^5 cm^-2, and a dislocation density ratio of 50 can be obtained.例文帳に追加

以上のようにして、表面転位密度４×１０^７ｃｍ^−２、裏面転位密度８×１０^５ｃｍ^−２、転位密度比５０の自立ＧａＮ基板が得られる。 - 特許庁

The sliced substrate has a low dislocation density because the dislocation runs in parallel to the surface.例文帳に追加

スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING DISLOCATION DENSITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価方法 - 特許庁

First, a GaN substrate 14 having a low-dislocation region 10 and a high-dislocation region 12, whose dislocation density is higher than that of the low-dislocation region 10, is prepared.例文帳に追加

まず、低転位領域１０と、低転位領域１０よりも転位密度が高い高転位領域１２とを有するＧａＮ基板１４を準備する。 - 特許庁

A conductive gallium nitride substrate 13 comprises a first region 13c having first dislocation density, and a second region 13d having second dislocation density smaller than the first dislocation density.例文帳に追加

導電性窒化ガリウム基板１３は、第１の転位密度を有する第１の領域１３ｃと、第１の転位密度より小さい第２の転位密度を有する第２の領域１３ｄとを含む。 - 特許庁

To specify a region where the density of penetration spiral dislocation is reduced.例文帳に追加

貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。 - 特許庁

To reduce dislocation density in a gradient silicon-germanium layer.例文帳に追加

勾配シリコン−ゲルマニウム層中の転位密度を低下させること - 特許庁

Further, the active layer has a higher dislocation density with a Burgers vector in direction [0001] than the dislocation density of the substrate 2.例文帳に追加

また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[０００１]である転位の密度は、基板２における当該転位の密度より高い。 - 特許庁

To provide a group-III nitride epitaxial substrate having a low dislocation density.例文帳に追加

低転位密度のIII族窒化物のエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring method of dislocation pit density in a wafer for accurately measuring the dislocation pit density, regardless of surface planarity and the overlapping of dislocation pits.例文帳に追加

表面平坦度や転位ピットの重なりに左右されず転位ピット密度を高精度に測定できるウェーハにおける転位ピット密度の測定方法を提供する。 - 特許庁

The dislocation density of the dislocation texture is 1×10^4 cm^-2 or higher and 1×10^12 cm^-2 or lower.例文帳に追加

転位組織の転位密度は、１×１０^4 ｃｍ^-2以上１×１０^12ｃｍ^-2以下であった。 - 特許庁

The laminate structure includes a first dislocation region that is located under the p-side electrode 123 and is configured to have a first dislocation density, and a second dislocation region configured to have a second dislocation density different from the first dislocation density.例文帳に追加

積層構造体は、ｐ側電極１２３の下方の領域であって第１の転位密度となるように構成された領域である第１転位領域と、第１の転位密度とは異なる第２の転位密度となるように構成された領域である第２転位領域とを含む。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING DISLOCATION PIT DENSITY IN COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

化合物半導体ウェーハにおける転位ピット密度の測定方法 - 特許庁

P atoms of the GaNP layer are selectively incorporated at dislocation positions to terminate the dislocation there and reduce the dislocation density of the GaN layer.例文帳に追加

ＧａＮＰ層のＰ原子が転位の位置に選択的に取り込まれて、転位をそこで終端させ、ＧａＮ層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

The second layer has dislocation density higher than that of the first layer.例文帳に追加

第１の層の転位密度に比して第２の層の転位密度は高い。 - 特許庁

A substrate has a plurality of high-defect regions composed of a crystal having a second average dislocation density higher than a first average dislocation density, in a low-defect region composed of a crystal having the first average dislocation density.例文帳に追加

基板は、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域中に、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる複数の高欠陥領域を有する。 - 特許庁

To reduce dislocation density in a GaN-based semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体装置において、転位密度を低減する。 - 特許庁

Such a substrate S as having dislocation density 104 cm-2 or less is used.例文帳に追加

前記基板Ｓは転位密度が１０^4 cm^-2以下のものが用いられる。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of simply forming a III-group nitride film of low dislocation density.例文帳に追加

低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

LARGE AREA, UNIFORMLY LOW DISLOCATION DENSITY GaN SUBSTRATE AND PROCESS FOR MAKING THE SAME例文帳に追加

大面積で均一な低転位密度ＧａＮ基板およびその製造プロセス - 特許庁

To produce a silicon carbide single crystal with low dislocation density by a solution process.例文帳に追加

溶液法により、転位密度の低い炭化硅素単結晶を製造する。 - 特許庁

To reduce dislocation density in the nitride system compound semiconductor device.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体装置において、転位密度の低減を図る。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a p-type gallium nitride region 16 of gallium nitride which has a high dislocation density region 18 and a low dislocation density region 19.例文帳に追加

半導体装置１は、高転位密度領域１８と低転位密度領域１９を有する窒化物ガリウムのｐ型窒化ガリウム領域１６を備えている。 - 特許庁

Since an inclusion 103 prevents propagation of a dislocation 104, the dislocation density in the GaN crystal 102 is reduced.例文帳に追加

インクルージョン１０３によって転位１０４の伝搬が阻止されるため、ＧａＮ結晶１０２の転位密度が減少する。 - 特許庁

The dislocation density of the dislocation texture is within a range of 1×10^4 cm^-2 to 1×10^12 cm^-2.例文帳に追加

この転位組織の転位密度は、１×１０^4 ｃｍ^-2以上１×１０^12ｃｍ^-2以下の範囲内となっている。 - 特許庁

To obtain a high quality semiconductor crystal which is free from cracks and has a low dislocation density.例文帳に追加

クラックが無く転位の密度が低い高品質の半導体結晶を得る。 - 特許庁

The dislocation density of the GaN self-supporting substrate 2 is 1×10^8 cm^-2 or less.例文帳に追加

ＧａＮ自立基板２の転位密度は、１×１０^8ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

The dislocation density of the nitride semiconductor layer is ≤1×10^8/cm^2.例文帳に追加

窒化物半導体層の転位密度は、１×１０^８個／ｃｍ^２以下である。 - 特許庁

This enables decreasing a dislocation density in the Group III nitride crystal to 1/10 or less of the density before the heat-treating.例文帳に追加

これにより、III族窒化物結晶内の転位密度を加熱処理前の１／１０以下とすることができる。 - 特許庁

To provide a nitride-based III group compound semiconductor in which through dislocation density is suppressed.例文帳に追加

貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁

The secondary region 17b's dislocation density is larger than that of the substrate 13.例文帳に追加

第２の領域１７ｂの転位密度は基板１３の転位密度よりも小さい。 - 特許庁

To provide a crystal film, crystal substrate, and semiconductor device which are low in a dislocation density, using a crystal base containing dislocation.例文帳に追加

転位の存在する結晶下地を用いて、低転位密度の結晶膜，結晶基板および半導体装置が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a group 3B nitride single crystal having low dislocation density and high quality.例文帳に追加

転位密度の低い高品質の３Ｂ族窒化物単結晶の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a Zn-doped group 3B nitride crystal having high resistance and low dislocation density.例文帳に追加

高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁

The powder becomes a fine crystal by pulverization and the dislocation density becomes low and hardness is improved.例文帳に追加

粉末は粉砕によって、微細結晶化し、転移密度は低くなり硬度が向上する。 - 特許庁

The body electrode 20 is brought into contact with the high dislocation density region 18.例文帳に追加

ボディ電極２０は、高転位密度領域１８に接していることを特徴としている。 - 特許庁

Thereby a single crystal having a dislocation density of ≤1×10^5 cm^2 can be grown.例文帳に追加

これにより、転位密度１×１０^5個／ｃｍ^2以下で単結晶が成長する。 - 特許庁

To reduce the dislocation density of GaN layers in a GaN compound semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層の転位密度を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sapphire seed for growing a crystal having reduced dislocation density.例文帳に追加

転位密度を低減した結晶成長用のサファイアシードの製造方法を提供する。 - 特許庁