「dislocation density」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, a light-detecting layer 14 is similarly made of a nitride semiconductor including Al at a smaller content than the nitride semiconductor and having a dislocation density 10^10/cm^2 or below.例文帳に追加

さらに、受光層１４を同じく前記窒化物半導体よりも少ない含有量でＡｌを含み、転位密度が１０^１０／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element, nitride semiconductor wafer, and manufacturing method for nitride semiconductor layer, which is formed on a silicon substrate and is capable of achieving excellent crystal quality with a low dislocation density.例文帳に追加

シリコン基板上に形成される、低転位密度で結晶品質が優れた窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, n- and p-type conductive layers 14 and 17 are composed of a nitride semiconductor that has a small content of Al as compared with the nitride semiconductor and has a dislocation density of 10^10/cm^2 or less.例文帳に追加

また、ｎ型導電層１４及びｐ型導電層１７を前記窒化物半導体よりもＡｌの少ない含有量で、転位密度が１０^１０／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

To provide a Zn-doped GaAs single crystal wafer which has a suppressed average dislocation density nearly equal to that of a silicon dope-type wafer, and thereby, can be used as a substrate for semiconductor laser for an optical pick-up, or the like.例文帳に追加

シリコンドープ型ウエハ並みに平均転位密度を低く抑制し、これによって光ピックアップ用半導体レーザの基板等への適用を可能にしたＺｎドープＧａＡｓ単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

Also, the ball of the deep groove ball bearing is produced by applying a plastic working treatment to a blank composed of ceramics and the dislocation density of the transposition texture is regulated to ≥1x10^4 to ≤1x10^12 cm^-2.例文帳に追加

また、深溝玉軸受の玉を、セラミックスからなる素材に対して、塑性加工処理を施して作製し、その転位組織の転位密度を１×１０^4 ｃｍ^-2以上１×１０^12ｃｍ^-2以下とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN crystal, which is low in dislocation density and high in crystallinity, without adding impurities other than the source material to a melt and also without increasing the scale of a crystal growth apparatus.例文帳に追加

融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The BaTiO_3-PbTiO_3 based single crystal has 10^2-10^6 grain/cm^2 dislocation density, 1-5 vol.% pore content and ≥1 mm^3 volume.例文帳に追加

本発明のＢａＴｉＯ_3 −ＰｂＴｉＯ_3 系単結晶は、転位密度が１０^2 〜１０^6 個／ｃｍ^2 、気孔含有量が１体積ｐｐｍ〜５体積％の範囲にあり、１ｍｍ^3 以上の体積を有する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element capable of reducing influence of piezo polarization, having sufficiently low dislocation density, and having a structure suitable for an industrially-producible GaN wafer.例文帳に追加

ピエゾ分極の影響を低減可能であり、十分に低い転位密度であり、工業的に生産可能なＧａＮウエハに好適である構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In this manner, the dislocation density of the GaN layers is reduced by inserting the quantum well layer (MQW) 14 composed of GaN and GaNP between the GaN layers in the GaN compound semiconductor device.例文帳に追加

このように、ＧａＮ系化合物半導体装置において、ＧａＮ系層間にＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層を挿入することでＧａＮ層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

A compound semiconductor wafer 1 to be evaluated is irradiated with laser light and the parts A-F where the peak intensity of photoluminescent light radiated from the wafer 1 is high are regarded as the parts of high dislocation density.例文帳に追加

評価対象の化合物半導体ウエハ１にレーザ光を当てたとき、ウエハ１より放射されるフォトルミネッセンス光のピーク強度の高い個所Ａ〜Ｆを高転位密度個所と判定する。 - 特許庁

In this case, a dislocation defect density existing in an interface between at least any one of the first and second Fe(001) layers and the single crystal MgO(001) is 25-50 pcs./μm or low.例文帳に追加

この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。 - 特許庁

Although a c surface Sc2 of the InAlGaN layer 21 is inclined relative a normal line axis Ax, the density of misfit dislocation of a slip plane mainly constituted of the c surface is reduced compared with AlGaN.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層２１のｃ面Ｓｃ２が法線軸Ａｘに対して傾斜しているけれども、ｃ面を主とするすべり面によるミスフィット転位の密度がＡｌＧａＮに比べて低減される。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁

To provide techniques further reducing dislocation density of a group III nitride semiconductor and significantly reducing the time required for a chemical lift-off process in manufacturing a self-support substrate and manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive high-quality epitaxial wafer having good crystallinity by setting the maximum value of the in-plane dislocation density of a substrate used in a liquid-phase epitaxy method within an appropriate range.例文帳に追加

液相エピタキシー法において使用する基板の面内の転位密度の最大値を適正範囲に設定することで、安価で且つ結晶性が良い高品質なエピタキシャルウェハを提供することにある。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of obtaining a nitride semiconductor layer of low dislocation density while forming the nitride semiconductor layer thinner than the critical thickness which causes cracking, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化物半導体層をクラックが生じる臨界膜厚よりも薄く形成しつつ、転位密度の低い窒化物半導体層を得ることのできる発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce through dislocation density in a semiconductor substrate, field-effect transistor, and a method of forming SiGe layer, method of forming strained Si layer using the same, and to provide method of manufacturing a field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a large diameter GaN single crystal substrate, in which the plane orientation of a main plane is other than (0001) and (000-1) and the dislocation density in the main plane is substantially uniform, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor where the dislocation density of the group III nitride semiconductor is further reduced and at the same time the time required for chemical lift-off is greatly shortened when a self-supporting substrate and a semiconductor element are produced.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon wafer capable of further reducing feed through dislocation density in a strained Si layer formed on an SiGe layer in the strained silicon wafer including the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハにおいて、ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate which is large and has a suitable dislocation density as a substrate for a semiconductor device, a semiconductor device containing the Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体デバイスの基板として大型で好適な転位密度を有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板、そのＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板を含む半導体デバイスおよびその製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor base that has a high-quality epitaxial film where dislocation density is reduced using a mask material such as SiO2 that is used for conventional selective growth, and a growth method.例文帳に追加

従来の選択成長に用いられるＳｉＯ_2などのマスク材料を用いること無しに転位密度を低減させた、高品質なエピタキシャル膜を備える半導体基材及び成長方法を提供すること。 - 特許庁

In the method, the dislocation controlling seed crystal 1 having an area 15 for allowing the spiral dislocations 19 to occur in a density higher than its periphery is prepared (seed crystal preparing process).例文帳に追加

該製造方法においては、周囲よりも高密度で螺旋転位１９を発生させることができる螺旋転位発生可能領域１５を有する転位制御種結晶１を準備する（種結晶準備工程）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate having an SiGe layer for making thin the SiGe layer, and relaxing its distortion, and reducing its threading-dislocation density.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化を図り、しかも、歪みが緩和され、かつ、貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal almost free from impurities and having a low dislocation density and good crystallinity; a group III nitride crystal substrate; and a semiconductor device including the same.例文帳に追加

不純物が少なく、かつ、転位密度が低く結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element whose sufficient lifetime can be ensured and by which high emission efficiency can be ensured by suppressing overflow of carriers while suppressing dislocation density in an active layer and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat cycle for reducing a dislocation density is conducted during formation or after formation of the layer 3a, and thereby at least a part of the layer region of the layer 3a is subjected to a heat cycle treatment.例文帳に追加

そして、転位密度低減のための熱サイクルは、オーミックコンタクト層３ａの成膜中または成膜後に行い、これによってオーミックコンタクト層３ａの少なくとも一部の層領域に熱サイクル処理を施している。 - 特許庁

This method is provided for evaluating backside damages given by damaging the back surface of a silicon wafer to add a gettering capability to the silicon wafer, and after the silicon wafer having backside damages is heat-treated, its dislocation density is measured.例文帳に追加

シリコンウェーハにゲッタリング能力を付加するために施されるバックサイドダメージを評価する方法であって、バックサイドダメージを有するシリコンウェーハに熱処理を施した後に、転位密度を測定するようにした。 - 特許庁

Furthermore, an n-type conductive layer 13 and a p-type conductive layer 15 are made of a nitride semiconductor including Al by a smaller content than the nitride semiconductor and having a dislocation density 10^10/cm^2 or below.例文帳に追加

また、ｎ型導電層１３及びｐ型導電層１５を前記窒化物半導体よりも少ない含有量でＡｌを含み、転位密度が１０^１０／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal film and crystal substrate whose through-dislocation density are uniformly low and in which a high quality crystal layer can be easily obtained, and a method for manufacturing a semiconductor device using those.例文帳に追加

貫通転位密度が一様に低く、高品質な結晶層を簡便に得ることができる結晶膜と結晶基板の製造方法、およびこれらを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain compatibility between high internal quantum efficiency obtained by reduction in through dislocation density and high external quantum efficiency obtained by effective use of light emission of an active layer while using an inexpensive silicon substrate.例文帳に追加

安価なシリコン基板を用い、貫通転位密度の低減による内部量子効率の向上と、活性層の発光の有効活用による外部量子効率の向上と、を両立できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate capable of reducing the generation of crack at an Al_bGa_1-bN (0<b≤1)layer on the substrate surface and reducing a dislocation density and to provide a manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

By annealing the epitaxial substrate 1 prior to the epitaxial growth of the group-III nitride layer 14, the dislocation density in the group-III nitride layer 14 is reduced half or less than in a case where no annealing is conducted.例文帳に追加

エピタキシャル基板１では、III族窒化物層１４のエピタキシャル成長に先立ってアニール処理を行うことにより、III族窒化物層１４の転位密度をアニール処理を行わなかった場合の半分以下に低下させている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method avoiding warping and cracking of a nitride semiconductor substrate which is grown on a single crystal substrate, and reducing a dislocation density, and obtaining the nitride semiconductor substrate having a superior uniformity.例文帳に追加

単結晶基板に成長させた窒化物半導体基板の反りおよびクラックを回避し、転位密度を低減させ、かつ均一性のよい窒化物半導体基板を得るための製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a low manufacturing cost, its manufacturing method, and a group III nitride semiconductor device including the group III nitride crystal substrate.例文帳に追加

転位密度が低くかつ製造コストの安いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびその製造方法、ならびにそのＩＩＩ族窒化物結晶基板を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

Because the crystal dislocation density of the GaN substrate 10 is higher than that of the semiconductor crystal to be grown, the melting speed of the GaN substrate 10 into a flux is faster than that of the semiconductor crystal into the flux.例文帳に追加

ＧａＮ基板１０の結晶転位密度は、成長させる半導体結晶よりも高いので、その半導体結晶がフラックスに溶融するよりは、ＧａＮ基板１０がフラックスに溶融する方が速い。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least aluminum and having a dislocation density of 1×10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^11／ｃｍ^2以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

To provide a forming method for a semiconductor which can shorten an operation time and lower manufacture cost by greatly decreasing the defect density of structure defects in the semiconductor layer, especially the density of penetration dislocation, without requiring complicated processes.例文帳に追加

煩雑な工程を必要とすることなしに、当該半導体層中の構造欠陥の欠陥密度、特に、貫通転位の転位密度を大幅に低減させることができるようにして、作業時間の短縮化を図ることができるとともに、製造コストを低減することのできる半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an LED capable of generating a light of arbitrary chroma regardless of degree of dislocation density, particularly, a new semiconductor light emitting device that can be preferably used as a white LED of three primary colors or more.例文帳に追加

転位密度の大小に関係なく、任意の色度の光を生成することのできるＬＥＤ、特に三原色以上の白色ＬＥＤとして好適に使用することが可能な、新規な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least alminum and having a dislocation density of 1 X 10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるＩＩＩ族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

A base material based on a composition of SUS420J2 is prepared, subjected to at least one process chosen from a high-density dislocation generation process and rapid solidification process, and further annealed to obtain a ferrite steel with fine metallic structure.例文帳に追加

ＳＵＳ４２０Ｊ２の組成をベースとする基材を調製した後、この基材に高密度転位導入法および超急冷凝固法の少なくとも一方を実施し、さらに焼鈍処理して微細組織フェライト鋼を得る。 - 特許庁

To provide a new semiconductor light-emitting device which can be suitably used as an LED, especially a white LED which is more than three primary colors and is capable of generating light of arbitrary chromaticity independently of the size of a dislocation density.例文帳に追加

転位密度の大小に関係なく、任意の色度の光を生成することのできるＬＥＤ、特に三原色以上の白色ＬＥＤとして好適に使用することが可能な、新規な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To grow a compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield by reducing dislocations generated in the vicinity of a seeding part without using a communicating fine tube in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal thin film in which a high quality single crystal thin film having a small dislocation density can readily be produced when growing a single crystal thin film having different quality of material on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板上に材質の異なる単結晶薄膜を成長させる場合に転位密度の小さな高品質の単結晶薄膜を容易に形成することができる単結晶薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of epitaxial wafer capable of achieving surface planarity, high orientation and low dislocation density when GaN thin film crystal grown on an Si substrate through an AlN single layer buffer has a film thickness of 1 μm or less.例文帳に追加

ＡｌＮ単層バッファーを介したＳｉ基板上のＧａＮ薄膜結晶が、１μｍ以下の膜厚において、表面平坦、高配向性、低転位密度を実現することのできるエピタキシャルウェハの構造を提供すること。 - 特許庁