Bridgmanとは 意味・読み方・使い方

The compound semiconductor single crystal is manufactured by growing a GaAs single crystal or an InP single crystal by a vertical Bridgman method using the vessel.例文帳に追加

この容器を使用して縦型ブリッジマン法によってＧａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶を育成して化合物半導体結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal production device effective in enhancing the growth rate of a seed crystal and increasing the length of a grown compound semiconductor single crystal, in a compound semiconductor crystal production process by a VB(vertical Bridgman) method.例文帳に追加

ＶＢ法による種結晶部の成長速度の高速化、結晶の長尺化に有効な化合物半導体結晶の製造を可能にすること。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a crystal having a structure with which a high quality single crystal is stably obtained by a simple process, in a growth apparatus of a single crystal by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置において、簡便な方法で、高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

To inhibit dislocation due to thermal strain from being caused and to make a cooling rate high in a method for the production of compound semiconductor crystal using a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いた化合物半導体結晶の製造方法において、熱歪みによる転位発生の抑制と冷却速度の高速化を実現することを可能とする。 - 特許庁

The growth by a Bridgman method is carried out while controlling the amount of a raw material to be charged in the crucible so that 10 to 50% of a melt of the raw material is accommodated in the upper crucible part 1 when the raw material is melted.例文帳に追加

るつぼ内に投入する原料の量を、原料を溶融させた時の融液が上部るつぼ部品に１０〜５０％入る程度に規制しつつ、ブリッジマン育成を行なう。 - 特許庁

To provide a new method by which a good quality lithium tetraborate single crystal which is free from a light-scattering material and suitable as an optical element can be grown by a vertical bridgman method.例文帳に追加

光学素子用として好適な、光散乱体を含まない極めて良質な四ほう酸リチウム単結晶を、垂直ブリッジマン法により育成させることができる新規な方法を提供する。 - 特許庁

To easily take a gallium arsenide single crystal out of a growth vessel after crystal growth in a vertical growth method such as vertical Bridgman method, a vertical temperature gradient solidification method or the like.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法等の縦型成長法において、結晶成長終了後の砒化ガリウム単結晶を成長用容器から容易に取り出すことを可能とする。 - 特許庁

When the position P of the solid-liquid interface of lithium tetraborate reaches a position corresponding to the melting point temperature of lithium borate single crystal in the vertical Bridgman furnace 11, raising of the crucible 15 is stopped and the crucible is kept at the position.例文帳に追加

四ほう酸リチウムの固液界面位置Ｐが、垂直ブリッジマン炉11内の四ほう酸リチウム単結晶の融点温度位置に達すると、るつぼ15の上昇を停止させ、その位置で保持させる。 - 特許庁