「dislocation density」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor substrate having a high quality strained Si (silicon) layer by reducing the density of threading dislocation on the surface of an SiGe layer for forming the strained Si layer as much as possible.例文帳に追加

歪みＳｉ層が形成されるＳｉＧｅ層表面の貫通転位の密度を極力少なくすることにより、高品質の歪みＳｉ（シリコン）層を有する半導体基板およびその半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation.例文帳に追加

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。 - 特許庁

To form an SiGe layer capable of obtaining a sufficient distortion effect with a small penetrating dislocation density on an SOI substrate.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、ＳＯＩ基板上に貫通転位密度が少なくかつ十分な歪み効果を得ることが可能なＳｉＧｅ層を形成すること。 - 特許庁

In such a manner, the group-III nitride semiconductor crystal in which a "-c surface" (N polarity surface) is a surface having excellent surface flatness and high crystallinity (tilt components and twist components are both small and a through dislocation density is low) is obtained.例文帳に追加

このようにすると、表面平坦性に優れ且つ高い結晶性（チルト成分とツイスト成分が共に小さくしかも貫通転位密度が低い）を有している「−ｃ面」（Ｎ極性面）を表面とするIII族窒化物半導体結晶が得られる。 - 特許庁

To obtain a multibeam light scanner suitable for a high speed and high recording density by substantially completely canceling and correcting the dislocation of focused positions in a main scanning direction of a plurality of spots over a whole face to be scanned without deteriorating a focusing characteristic at all.例文帳に追加

結像特性を全く劣化させることなく、被走査面全域における複数のスポットの主走査方向の結像位置のずれをほぼ完全に相殺し補正することによって高速、高記録密度に適したマルチビーム光走査装置を得ること。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt.例文帳に追加

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration in crystal quality (surface planarity, orientation, dislocation density) of a thin film due to difference in lattice constant as much as possible in an AlN thin film as a buffer layer when III-V nitride semiconductor crystal is grown on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長する際、そのバッファー層たるＡｌＮ薄膜において、格子定数差による薄膜の結晶品質（表面平坦性、配向性、転位密度）の劣化を極力抑止すること。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin, dislocation density can be reduced and an undislocated strained Si layer can be formed.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化、かつ、転位密度の低減化を図ることができ、しかも、無転位の歪Ｓｉ層を形成することができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method.例文帳に追加

転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。 - 特許庁

In the Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate 12, the area of the main face is 10 cm^2 or larger and the total dislocation density in the region excluding a region having a distance of 5 mm or smaller from the outer circumference 12v is 1×10^2 cm^-2 to 1×10^6 cm^-2.例文帳に追加

主面の面積が１０ｃｍ^2以上であり、外周１２ｖから５ｍｍ以下の距離にある領域を除く領域における総転位密度が１×１０^2ｃｍ^-2以上１×１０^6ｃｍ^-2以下であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板１２。 - 特許庁

A laminated structure formed of GaN crystal layers is formed on an Al_xGa_1-xN (0.5≤x≤1) crystal layer (it may be a single crystal substrate) which has a dislocation density of 1×10^11 cm^-2 or below and a thickness of 0.1 μm or above for the formation of a GaN semiconductor laser.例文帳に追加

転位密度１×１０^11ｃｍ^-2以下、厚さ０．１μｍ以上のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．５≦ｘ≦１）結晶層（単独の結晶基板であってもよい）上に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、ＧａＮ系半導体レーザを構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laminated structure reduced in a threading dislocation density propagated from crystal defects generated from the associated portion of lateral growths to the surface of the semiconductor, and to provide a semiconductor element formed on the obtained high-quality semiconductor laminated structure.例文帳に追加

横方向成長の会合部分から発生する結晶欠陥から半導体表面に伝播する貫通転位密度が低減された半導体積層構造、及び得られた高品質の半導体積層構造上に形成された半導体素子を提供すること。 - 特許庁

As a result, the area of grooves among the diffraction gratings are expanded so as to improve the removal effect of a mask material to be used during the formation of the diffraction gratings, reduce the density of internal dislocation (crystal defect), and attain the improved reliability for an element.例文帳に追加

その結果、回折格子の間の溝部の領域を拡げられるため、回折格子形成時に用いられるマスク材の除去効果の向上が図られ、内部の転位(結晶欠陥)密度の低減を実現し、素子信頼性の向上効果を得ることができる。 - 特許庁

To make the best use of the properties of a ZrB_2 substrate which is promising as a lattice aligning substrate for a group III nitride semiconductor, and to realize a high quality AlGaN semiconductor layer in which the dislocation density is low over the whole surface for forming an element by the minimum processes.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の格子整合基板として有望なＺｒＢ_２基板の性質を最大限引き出し、素子形成面全体の転位密度が小さい高品質のＡｌＧａＮ半導体層を最小限の少ない工程によって実現すること。 - 特許庁

A high quality single crystal wafer of SiC having a polytype selected from a group composed of a 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes, a diameter of at least about 75 mm (3 inches) and the 1c screw dislocation density lower than about 2,000 cm^-2 is disclosed.例文帳に追加

３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

To make low the feedthrough dislocation density in an SiGe buffer layer and to lessen the surface roughness also of the buffer layer in a semiconductor substrate, a field-effect transistor, the forming method of an SiGe layer, the forming method of a distorted Si layer using this forming method, and the manufacturing method of the field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁

The control of the density of the dislocation is carried out by suppressing the width of a half value in the X-ray diffraction of a base powder to low, or by the method of not applying a pressure of >100 kgf/cm2 in the steps before obtaining the sintered compact, or by sintering with nitrifying reaction of Si powder.例文帳に追加

転位密度の制御は、原料粉末のＸ線回折における半価幅を低く抑えるか、焼結体を得るまでの工程で１００ｋｇｆ／ｃｍ^2を越える圧力を加えない方法、又はＳｉ粉末の窒化反応焼結による。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, an Al content to the total content of a III-group element is 50 atom% or more, its dislocation density if 10^11/cm^2 or less, and a half-value width in an X-ray locking curve on a (002) surface is 200 seconds or less.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

This GaN wafer has the dislocation density of 107/cm2 or less which is lower than that of the existent CaN thin film, therefore not only remarkably improves the life and productivity of a GaN blue laser diode (blue LD), but also is used as the fundamental material of an electronic device in the high output and high temperature field.例文帳に追加

このＧａＮウェーハは既存のＧａＮ薄膜に比べて転位密度が１０^7／ｃｍ^2以下で低くてＧａＮ青色レーザーダイオード（ｂｌｕｅ ＬＤ）の寿命と製造生産性を大きく向上させられるだけでなく高出力、高温分野の電子素子の基本材料として使われる。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, the Al content amount is 50 atom% or more against the sum of III element contents, a dislocation density is 10^11/cm^2 or below, and the half band width of an X-ray locking curve on a (002) plane is 200 sec or below.例文帳に追加

第一の窒化物半導体においてＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転移密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が２００ｓｅｃ以下である。 - 特許庁

The first nitride semiconductor has an Al content of ≥50 atom% with respect to the sum total of contents of group-III elements, has a dislocation density of ≤10^11/cm^2 and has an X-ray locking curve half width in a (002) plane of ≤200 seconds.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

To provide a base material for a semiconductor device, the base material providing a sufficiently wide effective emission wavelength range in an active layer to be layered on a substrate, and having reduced dislocation density of the active layer to provide a sufficiently high emission efficiency, and to provide a method of manufacturing the base material.例文帳に追加

積層される活性層について十分に広い有効発光波長範囲が得られながら、当該活性層について転位密度が低減されて十分に大きい発光効率を得ることができる半導体装置用基材およびその製造方法の提供。 - 特許庁

In order to improve the quality of the laminated layer structure with respect to the surface roughness and dislocation density, the composition parameter at the interface between the layer in the stack 5 with the gradient composition and the subsequent layer in the stack is chosen to be smaller than the composition parameter (1-xg) of the layer with a gradient composition.例文帳に追加

表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）よりも小さくなるように選択される。 - 特許庁

Since the second growth layer 22 is grown laterally so as to fill up the dimples of the first grown layer 21, dislocation D transferred from the first growing layer 21 bends laterally at the surface projections, thereby remarkably reducing the density of dislocations D propagated to the surface of the second growth layer 22.例文帳に追加

第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate which can grow an A axis oriented nitride-based semiconductor on an R surface sapphire substrate in a selected transverse direction, and to provide an epitaxial substrate manufactured by this method which has a low threading dislocation density and an excellent surface flatness.例文帳に追加

A軸配向の窒化物系半導体をR面サファイア基板上に選択横方向成長させるエピタキシャル基板の製造方法ならびにこの方法により製造した基板全面において貫通転位密度が低く、かつ、表面平坦性の優れたエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of a nitride semiconductor including at least one of Al, Ga, and In capable of reducing the dislocation density in an epitaxial-grown semiconductor layer and of being used as a practical device such as FET or HEMT.例文帳に追加

Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体からなる、エピタキシャル成長させた半導体層中の転位密度を低減し、ＦＥＴやＨＥＭＴなどの実用デバイスとして使用することのできる、前記窒化物半導体からなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

To provide a highly-sensitive nondestructive measuring method of a secular deterioration of the strength of a ferromagnetic structural material, capable of inspecting nondestructively the dislocation density and its distribution change in the pre-stage of crack generation, and capable of nondestructive measurement with a compact magnetic yoke and a small-capacity exciting power source.例文帳に追加

亀裂が発生する前段階での転位密度及びその分布の変化を非破壊的に検査でき、しかも小型の磁気ヨークと小容量の励磁電源で非破壊測定が可能な、高感度の強磁性構造材強度の経年劣化非破壊測定方法を提供することにある。 - 特許庁

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが６００μｍ以上の基材上に、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であり、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor crystal, with which the generation rate of twin crystals in a diameter increasing part of the crystal is suppressed and a single crystal having a low dislocation density can be grown in a high yield in a vertical Bridgman method or a vertical temperature gradient freezing method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法又は垂直温度勾配凝固法において、結晶の増径部において双晶の発生割合を少なくし、低転位密度の単結晶を歩留り良く育成することのできる化合物半導体結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

In this film forming process, the temperature at the striped areas having a pattern related to the striped pattern of the grooves 24 or the striped metal film 31 formed in the back side 21b of the sapphire substrate body 21 is selectively raised, and thereby the dislocation density at the surfaces of these areas is made extremely low.例文帳に追加

この成膜過程中、サファイア基板本体２１の裏面２１ｂに形成した溝２４または金属膜３１のストライプ状パターンに関連したパターンを有するストライプ状領域の温度が選択的に高くなり、この領域の表面での転位密度は非常に小さくなる。 - 特許庁

To stably manufacture an Al-containing III nitride film having excellent film characteristics by suppressing the threading dislocation density, etc., of all obtained Al-containing III nitride films to a fixed value or lower at the time of continuously forming a plurality of Al-containing III nitride films over a long period of time by the CVD method.例文帳に追加

ＣＶＤ法により、複数のＡｌ含有III族窒化物膜を長時間に亘って連続して形成する場合に、得られたＡｌ含有III族窒化物膜総ての転位密度などを一定の値以下とし、優れた膜特性のＡｌ含有III族窒化物膜を安定して製造する。 - 特許庁

The surface of a first nitride semiconductor crystal layer 3 is exposed to an atmosphere containing oxygen, a second nitride semiconductor crystal layer 5 is formed thereon, and the second nitride semiconductor crystal layer 5 is set lower in dislocation density than the first nitride semiconductor crystal layer 3.例文帳に追加

第一の窒化物系半導体結晶層３の表面を酸素を含む雰囲気にさらし、その上に第二の窒化物系半導体結晶層を５形成し、第一の窒化物系半導体結晶層３よりも第二の窒化物系半導体結晶層５の転位密度を減少させる。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin and the density of threading dislocation in the SiGe layer incident to lattice mismatch of Si and SiGe can be reduced.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化を図ることができ、かつ、ＳｉとＳｉＧｅとの格子不整合により発生するＳｉＧｅ層における貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The opto-electric conversion element is manufactured by using the ZnTe substrate for epitaxy of the dislocation density specified to ≤50,000/cm2, the size of the deposits on the surface specified to ≤10 μm and the carrier concentration specified to greeter than 3×1017/cm3 and below 1×1019/cm3.例文帳に追加

転位密度を５００００／ｃｍ^２以下、表面の析出物の大きさを１０μｍ以下、かつキャリア濃度を３×１０^１７／ｃｍ^３より大きく１×１０^１９／ｃｍ^３以下としたエピタキシャル成長用ＺｎＴｅ基板を用いて光電変換機能素子を作製するようにした。 - 特許庁

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal.例文帳に追加

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 - 特許庁

As a result, a crystal grown sidewise from the crystal part 12A is prevented from being in contact with the sapphire substrate 11, and the n-side contact layer 15 and the nitride-based III-V group compound semiconductor crystal have a low density of through dislocation while a fluctuation in crystal orientation is made small.例文帳に追加

結晶部１２Ａから横方向に成長した結晶とサファイア基板１１とが接触することがなく、ｎ側コンタクト層１５およびその上に成長した窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶においては、貫通転位の密度が低く、また結晶方位の揺らぎが少なくなっている。 - 特許庁

To provide a method for semiconductor crystal growth and a crystal growing apparatus which can easily grow a non-doped semiconductor crystal layer having a sufficiently low dislocation density and a high resistance on a semiconductor substrate for a base, and also to provide a high-quality and high-performance semiconductor substrate manufactured by using these.例文帳に追加

下地用半導体基板上に、転位密度が十分小さい高抵抗のノンドープ半導体結晶層を容易に結晶成長させることができる半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された高品質、高性能な半導体基板を提供すること。 - 特許庁

When manufacturing the nitride compound semiconductor light-emitting element by forming a layer by a nitride semiconductor on a substrate, where dislocation density is distributed in a plane, and a semiconductor layer that becomes a substrate, a stripe shape is formed so that the width of a resonator end face side becomes larger and the width of a center becomes narrower.例文帳に追加

転位密度が面内で分布している基板や下地となる半導体層上に窒化物半導体による層を形成して窒化物化合物半導体発光素子を作製するとき、ストライプ形状を、共振器端面側の幅が広くなるようにするとともに中央部分の幅が狭くなるような形状とする。 - 特許庁

A high-strength steel sheet for baking/hardening in which the structure of steel satisfies, by area ratio, ferrite of ≤5% (inclusive of 0%), bainite and martensite of 75 to 100% in total, and pearlite and/or retained austenite of ≤20% in total (inclusive of 0%), and whose dislocation density is ≥3.0×10^15/m^2 is produced.例文帳に追加

鋼の組織が面積率で、フェライト：５％以下（０％を含む）、ベイナイト及びマルテンサイト：合計で７５〜１００％、パーライト及び／又は残留オーステナイト：合計で２０％以下（０％を含む）、を満たし、転位密度が３．０×１０^１５/ｍ^２以上である焼付硬化用高強度鋼板を製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having high reliability and excellent characteristics, in which the meeting areas of growth layers are actually limited to one point, a growth area of which the size is 8 to 30 μm e.g. can be easily obtained as a growth layer having sufficiently low dislocation density and the growth layer has a shape suited to the formation of a light emitting diode.例文帳に追加

成長層の会合領域が事実上一点に限られ、転位密度が十分に低い成長層として大きさが例えば８〜３０μｍのものを容易に得ることができ、しかもその成長層は発光ダイオードの形成に適した形状を有し、信頼性および特性に優れた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A nitride semiconductor-stacked substrate is obtained by stacking an intermediate layer 3 for the exfoliation of a substrate 1 of a different kind of material and a second nitride semiconductor layer 4 on a nitride semiconductor ground substrate in which a first nitride semiconductor layer 2 having a dislocation density of ≥1.0×10^10/cm^2 is formed on the substrate 1 of the different kind of material different from nitride.例文帳に追加

窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor, a method for forming an SiGe layer, a method for forming a strained Si layer and a method for manufacturing a field effect transistor in which dislocation density of the SiGe layer is reduced by a method by which restriction on the process and on the degree of freedom in the placement of device design is suppressed.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、プロセスの制約が少なく、またデバイス設計の配置自由度における制限が少ない方法で、ＳｉＧｅ層の貫通転位密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light emitting element which can increase an internal quantum efficiency using a gallium-nitride compound semiconductor having a reduced dislocation density, and also to provide a method for manufacturing a light emitting element which can avoid cracks in the light emitting element and increase a light output efficiency by simplifying a step of forming a substrate having an unevenness structure.例文帳に追加

転位密度を低減した窒化ガリウム系化合物半導体を用いて内部量子効率を向上させた発光素子の製造方法、また基板の凹凸構造の形成工程を簡易化して発光素子にクラックが生ずるのを回避し、光の取り出し効率の向上した発光素子を製造できる製造方法を提供すること。 - 特許庁