「dislocation density」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

There are provided an apparatus and method for growing low dislocation density silicon carbide (SiC).例文帳に追加

低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる設備及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing silicon carbide single crystal which is reduced in penetration screw dislocation density.例文帳に追加

貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, dislocation density around the center of the top surface of the Ge island 2 can be reduced.例文帳に追加

そのため、Ｇｅアイランド２の上面中心付近の転位密度を低減させることができる。 - 特許庁

To provide a group III-V semiconductor single crystal having a large size and a low dislocation density.例文帳に追加

大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

The first GaN crystal has a lower dislocation density (≤10^5 cm^-2) and high quality.例文帳に追加

この第１のＧａＮ結晶は、転位密度が小さく（≦１０^５ｃｍ^−２）高品質である。 - 特許庁

This results in a very reduced dislocation density of the ZnSe layer to improve the surface roughness.例文帳に追加

その結果、ＺｎＳｅ層の転位密度は非常に減少され、表面粗さは改良される。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal substrate having a low dislocation density of ≤10^6 cm^-2.例文帳に追加

１０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。 - 特許庁

Then the AlN substrate 11 has a dislocation density of 9×10^8 cm^-2 or below.例文帳に追加

そして、ＡｌＮ基板１１の転位密度は９×１０^８ｃｍ^−２以下となっている。 - 特許庁

The third region 15c has the threading dislocation density D_13 smaller than that D_1.例文帳に追加

第３の領域１５ｃは貫通転位密度Ｄ_１より小さい貫通転位密度Ｄ_１３を有する。 - 特許庁

The gallium nitride epitaxial layer 45 has a dislocation density less than 1×10^8 cm^-2.例文帳に追加

窒化ガリウム系エピタキシャル層４５は１×１０^８ｃｍ^−２未満の転位密度を有する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING DISLOCATION DENSITY OF FLUORIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING FLUORIDE CRYSTAL例文帳に追加

フッ化物結晶の転位密度測定方法、測定装置及びフッ化物結晶の製造方法 - 特許庁

The substrate layer has a dislocation density of 5×10^8 cm^-2 or less and contains a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

To remarkably reduce the dislocation density of a nitride semiconductor formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成する窒化物半導体の転位密度を飛躍的に低減することを可能にする。 - 特許庁

The dislocation density of the tertiary region 17c is smaller than that of the primary region 17a.例文帳に追加

第３の領域１７ｃの転位密度は第１の領域１７ａの転位密度よりも小さい。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride semiconductor substrate and the substrate in which dislocations are not released again from the parts where dislocations are accumulated, while parts other than the accumulated dislocation region are of low dislocation density, so that the area of the low dislocation density can be widen.例文帳に追加

転位を集結した部分から転位が再び解き放たれず転位終結部以外の部分が低転位密度であり低転位である部分の面積を広くできるような窒化物半導体基板の製造方法と基板を提供すること。 - 特許庁

With this shot blasting treatment, linear dislocation texture is uniformly formed on the surface, and the dislocation density of the dislocation texture is set to ≥1×10^4 cm^-2 and ≤9×10^13 cm^-2.例文帳に追加

このショットブラスト処理により、直線状の転位組織が表面に均一に形成されていて、転位組織の転位密度は１×１０^4 ｃｍ^-2以上９×１０^13ｃｍ^-2以下とされている。 - 特許庁

Because the voids 23a, 23b prevent each dislocation D_1 from transmitting to the upper part, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part.例文帳に追加

空間部２３ａ，２３ｂにより上層部側への各転位Ｄ_1 の伝播が阻止されるので、上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁

The GaN crystal 105 grows in a step flow mode, and the dislocation 104 is bent in the GaN crystal 105, so that the dislocation density is further reduced.例文帳に追加

ＧａＮ結晶１０５はステップフロー成長し、転位１０４はＧａＮ結晶１０５中において曲げられるため、転位密度がさらに減少する。 - 特許庁

The self-supporting substrate 1 comprises a thick GaN film and is characterized in that the depth profile of a dislocation density as measured from one face 1a and that of a dislocation density as measured from the other face 1b are substantially identical with each other.例文帳に追加

ＧａＮ厚膜からなり、一方の面１ａから測定した転位密度のデプス・プロファイルと、他方の面１ｂから測定した転位密度のデプス・プロファイルとが略同一である自立基板１。 - 特許庁

Thus, by measuring the dislocation density of the cross section crossing the main surface equivalent to the defect density in the lateral direction, selecting the GaN substrate for which the dislocation density is equal to or lower than the fixed numerical value and using it, the yield of the semiconductor device is improved.例文帳に追加

したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 - 特許庁

Thereby, the high quality p-type PbTe single crystal almost free from a defect and having high mobility and low dislocation density is obtained.例文帳に追加

欠陥が少なく高移動度、低転位密度で、高品位のｐ型ＰｂＴｅ単結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a semiconductor region with a low dislocation density, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

転位密度の低い半導体領域を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide low dislocation density silicon carbide (SiC), and to provide a method and apparatus for growing the same.例文帳に追加

低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To produce a group III nitride semiconductor crystal having a large area and a low dislocation density with a simple process.例文帳に追加

大面積で転位密度が小さいIII族窒化物半導体結晶を簡便な工程で製造すること。 - 特許庁

The density of the dislocation in a single particle of silicon nitride sintered compact is controlled so as to be ≤10 μm/μm3.例文帳に追加

窒化ケイ素焼結体の単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^3以下に制御する。 - 特許庁

To provide a strained silicon wafer for further reducing through dislocation density in a strained silicon layer.例文帳に追加

歪みシリコン層における貫通転位密度の一層の低減化を図る歪みシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

The first region 15a has the threading dislocation density D_11 smaller than that D_1.例文帳に追加

第１の領域１５ａは貫通転位密度Ｄ_１より小さい貫通転位密度Ｄ_１１を有する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate capable of preventing crack generation and reducing a dislocation density as well.例文帳に追加

クラック発生を防止し、転位密度も低減することのできる窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal having low average dislocation density and high crystallinity.例文帳に追加

平均転位密度が低く結晶性が高いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

A III-nitride semiconductor device (3) with a low dislocation density is formed on the top of the laminated substrate system.例文帳に追加

転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。 - 特許庁

The GaN crystal 100 is grown in a step-flow mode, and a dislocation propagating from the seed crystal 18 is bent in the GaN crystal 100 to reduce the dislocation density.例文帳に追加

ＧａＮ結晶１００はステップフロー成長し、種結晶１８から伝搬する転位はＧａＮ結晶１００中において曲げられ、転位密度が減少する。 - 特許庁

(3) The growing face includes a high quality region 12 having a low screw dislocation density and a screw dislocation region 14 having an area of not more than 50% of the growing face.例文帳に追加

（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。 - 特許庁

To produce a group III nitride crystal having a low dislocation density and a large area in a short time compared with conventional crystals.例文帳に追加

転移密度の少ない大面積のＩＩＩ族窒化物結晶を従来よりも短時間で製造する。 - 特許庁

A dislocation density D of the second Al_Y1In_Y2Ga_1-Y1-Y2N layer 15 is 1×10^8 cm^-2.例文帳に追加

第２のＡｌ_Ｙ１Ｉｎ_Ｙ２Ｇａ_１−Ｙ１−Ｙ２Ｎ層１５の転位密度Ｄが１×１０^８ｃｍ^−２である。 - 特許庁

The steel sheet for chemical conversion treatment has dislocation at a density of ≥2×10^13/m^2 in the surface layer part.例文帳に追加

化成処理用鋼板を、表層部に２×１０^１３／ｍ^２以上の密度の転位を有するものとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate that is of low dislocation density and is inexpensively manufactured.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The doped glass layer 30 formed by ion implantation can reduce dislocation density of the silicon layer 32.例文帳に追加

イオン注入により形成されたドープ・ガラス層３０は、シリコン層３２の転位密度を減少させることができる。 - 特許庁

Dislocation density of the AlGaN layer 14 formed in the surface of the sapphire substrate 10 is thereby reduced.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面上に形成された溝によりＡｌＧａＮ層１４の転位密度が低減する。 - 特許庁

To provide a method for easily and efficiently growing a group III nitride crystal having a low dislocation density.例文帳に追加

簡便に効率よく転位密度の低いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

TENSILE DISTORTIONAL SILICON ON LOOSENED SiGe FILM CONTAINING EVEN MISFIT DISLOCATION DENSITY AND FORMING METHOD OF SAME例文帳に追加

均一なミスフィット転位密度を含む緩和ＳｉＧｅ被膜上の引っ張り歪みシリコンおよびその形成方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large diameter compound semiconductor single crystal having a low dislocation density in a good yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留まり良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal having a large diameter and a low dislocation density in high productivity and a high yield.例文帳に追加

大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。 - 特許庁

To provide a substrate and an element having a nitride-family semiconductor layer of low dislocation density and high reliability.例文帳に追加

転位密度の低く信頼性の高い窒化物系半導体層を有する基板及び素子を提供すること。 - 特許庁

The second group III nitride 59 comprises areas having a lower dislocation density than that of the first group III nitride.例文帳に追加

第２のIII族窒化物５９は、第１のIII族窒化物の転位密度よりも小さい転位密度の領域を含む。 - 特許庁

To stably manufacture a calcium fluoride crystal which is low in dislocation density and excellent in homogeneity of a high reflective index.例文帳に追加

転位密度の低い、高次の屈折率均一性に優れた弗化カルシウム結晶を安定的に製造する。 - 特許庁