「dislocation density」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a silicon wafer having the effective density and size of a BMD for preventing the dislocation of a pattern by restraining slip dislocation caused in a particularly controversial device heat treatment process accompanied by the fining of a device wiring pattern, and to provide a method for manufacturing the silicon wafer.例文帳に追加

デバイス配線パターンの微細化に伴い特に問題視されるデバイス熱処理工程で発生するスリップ転位を抑制し、パターンずれを防止するために効果的なＢＭＤの密度とサイズを有するシリコンウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The void portions 13a, 13b enable the dislocations D1 to be uniformly blocked, thus, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part by the void portions 13a, 13b.例文帳に追加

転位Ｄ_1 は空間部１３ａ，１３ｂによって一様に遮断され、空間部１３ａ，１３ｂより上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁

In addition, it is possible to achieve further improvement of SSC resistance characteristics by providing densified regions of Mo on former γ grain boundaries and by setting a dislocation density to 6.0×10^14/m^2 or less.例文帳に追加

なお、旧γ粒界上にMoの濃化領域を有することにより、また、転位密度を6.0×10^１４/m^２以下とすることにより、更なる耐SSC性の向上が得られる。 - 特許庁

To provide a self-supported III-V group nitride semiconductor substrate having a sufficiently thick surface layer of low dislocation density and less carrier concentration variation.例文帳に追加

低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride crystal where the group III nitride crystal having a uniform low dislocation density region over a broad area is produced at a low cost.例文帳に追加

広範囲に亘って均一な低転位密度の領域を有するIII族窒化物結晶を低コストで製造できるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

An amount of etching on the surface of the working strain layer 12 is controlled in the step of etching removal to adjust dislocation density in the non-diffusion layer 15.例文帳に追加

ここで、上記エッチング除去の工程において加工歪み層１２の表面のエッチング量を制御することにより非拡散層１５内の転位密度を調節する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating the dislocation density of a group III nitride crystal in a simple and convenient manner using an optical microscope by forming etch pits having a suitable diameter.例文帳に追加

適正な径のエッチピットを形成することにより、光学顕微鏡を用いて簡便にＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価ができる方法を提案する。 - 特許庁

To provide a material characteristics measurement method for a magnetic material which is unaffected by a crystal grain diameter, a solid solution amount, a deposition amount, or dislocation density of a measured material.例文帳に追加

被測定材料における結晶粒径・固溶量・析出量・転位密度の影響を受けない磁性体材料の材料特性の計測方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a luminous layer 15 is composed of a nitride semiconductor that has a small content of Al as compared with the nitride semiconductor and has a dislocation density of 10^10/cm^2 or less.例文帳に追加

さらに、発光層１５を同じく前記窒化物半導体よりもＡｌの少ない含有量で、転位密度が１０^10／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

When the second nitride semiconductor layers 108-115 are formed under pressure, dislocation density is reduced furthermore and a highly reliable semiconductor laser having reduced defect is fabricated.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層１０８〜１１５を加圧成長させると、より転位密度が低く抑えられ、欠陥の少ない信頼性の高い半導体レーザが作製される。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor crystal where the high quality semiconductor crystal can be obtained with excellent reproducibility and to provide the semiconductor crystal having homogeneous dislocation density.例文帳に追加

高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。 - 特許庁

A GaN single crystal 20 is grown by the flux method using a GaN substrate 10 having a crystal dislocation density higher than that of a semiconductor crystal to be grown.例文帳に追加

結晶転位密度が成長させる半導体結晶よりも高いＧａＮ基板１０を用いて、フラックス法でＧａＮ単結晶２０を結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a nitride semiconductor which comprises a thin and flat buffer layer while providing an active layer with less dislocation density.例文帳に追加

薄くて平坦化が達成されるバッファ層を有し且つ、転位密度が少ない能動層を得ることができる窒化物半導体を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling-up device with which the single crystal low in the density of grown-in defects called as infrared scatter or dislocation cluster can be grown.例文帳に追加

赤外散乱体や転位クラスター等と呼ばれるgrown-in欠陥の密度の低い単結晶を育成することのできる単結晶引き上げ装置を提供すること。 - 特許庁

Further, in the case of LD, a mask is formed such that openings are not arranged only in a single direction successively while a part not having a dislocation density is formed in a stripe shape.例文帳に追加

また、ＬＤにする場合には、ストライプ状に転位密度の存在しない部分を作りながら、単一方向のみに連続する開口部としないようにマスクを形成する。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁

When a nitride semiconductor crystal is grown in the lateral direction from the seed crystal 105, dislocation density is also reduced directly above the seed crystal 105 as well as in a lateral growth region where dislocation is low originally resulting in a crystal layer 107 having reduced surface defect.例文帳に追加

この種結晶１０５から窒化物半導体結晶を横方向成長させると、元々転位の少ない横方向成長領域と併せて種結晶１０５の直上の転位密度も減少し、表面欠陥が少ない結晶層１０７が得られる。 - 特許庁

To provide a nondestructive evaluation method of a compound semiconductor wafer requiring no slicing of a sample other than a product sample in which dislocation density of a high level wafer having a mean dislocation density of 100/cm2 or less can be evaluated correctly without requiring a troublesome etching operation.例文帳に追加

製品とならない試料サンプルの切り出しを必要としない非破壊形式の評価方法であって、しかも、手間のかかるエッチング加工を必要とせず、さらに、平均転位密度が１００個／ｃｍ^2 以下の高水準のウエハを対象としたときに正しく転位密度の評価を行うことのできる化合物半導体ウエハの品質評価方法を提供する。 - 特許庁

The LED chip of this nitride semiconductor light emitting diode is formed in such a large area that contains a plurality of low-dislocation density areas 34 and high-dislocation density areas 32 by using a nitride semiconductor substrate 16 in which the areas 34 and 32 alternately exist in short cycles and currents are concentrated to the areas 34 by means of current barrier layers 24 provided under a p-electrode 26.例文帳に追加

低転位密度領域３４と高転位密度領域３２が短周期に交互に存在する窒化物半導体基板１６を用いて、両方の領域が各々複数含まれるような大面積にＬＥＤチップを形成し、ｐ電極２６の下側に設けた電流障壁層２４により低転位密度領域３４に電流を集中させる。 - 特許庁

Preferably, the dislocation defect density of a second clad layer 5 composed of an n-type gallium nitride series semiconductor forming a part of an underlaying layer of the active layer 6 is 10^9 to 10^11/cm^2, and preferably, the gap of a dislocation defect in the second clad layer 5 is 120 to 170 nm.例文帳に追加

活性層６の下地層の一部をなすｎ型窒化ガリウム系半導体からなる第２クラッド層５の転位欠陥密度が１０^９〜１０^１１／ｃｍ^２であることが好ましく、第２クラッド層５における転位欠陥の間隔が１２０〜１７０ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor epitaxial substrate, in which a GaN-based semiconductor with a low dislocation density (of, for example, ≤10^5/cm^2) is epitaxially grown by reducing threading dislocation caused when the GaN-based semiconductor is grown on a hetero-substrate.例文帳に追加

異種基板上にＧａＮ系半導体を成長させることにより発生する貫通転位を低減し、低転位密度（例えば、１０^５／ｃｍ^２以下）のＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させることができるＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, since growth occurs in the lateral direction so as to fill the recessed parts on the surface of the first layer 21, the dislocation D taken over from the layer 21 is bent in the horizontal direction, and the density of the dislocation D propagated to the surface of the second layer 22 is largely reduced.例文帳に追加

また、第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝搬される転位Ｄの密度が大きく低減する。 - 特許庁

To easily and freely adjust dislocation density in a non-diffusion layer to a required level, in manufacturing of a diffusion wafer having a double structure of a heavily-doped impurity diffusion layer and the non-diffusion layer.例文帳に追加

高濃度不純物拡散層と非拡散層の２層構造の拡散ウェーハ製造において、非拡散層内の転位密度を所要レベルに簡便にしかも自在に調節する。 - 特許庁

Since the inside of a reaction tube 1 is brought into pressurized state (1.6 atm), dislocation density of the seed crystal 105 itself is reduced as compared with a conventional method where a semiconductor is produced under reduced pressure.例文帳に追加

このとき、反応管１内を加圧状態（１．６気圧）とするので、従来の減圧下で作製された場合に比べて、種結晶１０５自体に存在する転位密度が低減する。 - 特許庁

The nitride semiconductor substrate 101 is GaN having (11-20) plane as a principal orientation plane and density of a threading dislocation 104 including a helical component is 1×10^5 cm^-2.例文帳に追加

窒化物半導体基板１０１は、（１１−２０）面を主方位面とするＧａＮであり、らせん成分を含む貫通転位１０４の密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。 - 特許庁

To provide an image forming method by which a high density and high resolution image comparable to a print is obtained and a fog-free toner image is obtained without dislocation or unevenness in transfer.例文帳に追加

印刷同等の高濃度で高解像力の画像が得られ、且つ、転写ずれや転写むらが発生せず、カブリの無いトナー画像が得られる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To form a SiGe layer which has through dislocation density and low surface roughness on an SOI structure as to a semiconductor device and a field effect transistor, and a manufacturing method for them.例文帳に追加

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、ＳＯＩ構造上に貫通転位密度が低く、表面ラフネスが低いＳｉＧｅ層を有すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-supported group III-V nitride-based semiconductor substrate having a surface layer with a sufficient thickness, while the surface layer having a low dislocation density and a small variations in carrier concentration.例文帳に追加

低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of lowering the dislocation density of the upper surface of a substrate and suppressing the increase in the resistance of the current path of the substrate.例文帳に追加

基板の上面の転位密度を低くするとともに、基板の電流通路の抵抗が増加するのを抑制することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal which is capable of growing a silicon single crystal which contains a region wherein dislocation clusters are produced and is reduced in the density of the LPD (light point defect) having a size of 0.09 μm or more.例文帳に追加

転位クラスター発生領域を含み、０．０９μｍ以上のＬＰＤ密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that can further reduce a dislocation density of group III nitride semiconductor and at the same time can greatly reduce the time required for a chemical lift-off particularly during the independent substrate manufacturing.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a circuit conductor where a prescribed conductor pattern is provided with no dislocation of the circuit conductor while arrangement density of the circuit conductor is improved.例文帳に追加

回路導体が位置ずれを起こすことなく、所定の導体パターンを得ることができ、しかも回路導体の配置密度を向上させることができる回路導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride sintered compact with the density of the dislocation controlled so as to be ≤5 μm/μm3 has ≥140 W/mK high temperature conductivity and ≥100 kgf/mm2 flexural strength.例文帳に追加

転位密度を５μｍ／μｍ^3以下に制御した窒化ケイ素焼結体は、１４０Ｗ／ｍＫ以上の高熱伝導率と、１００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の曲げ強度を有している。 - 特許庁

To obtain an nitride semiconductor thin film which satisfies sufficiently low dislocation density, homogeneity over a wide surface area, manufacturing process convenience, and economy, and which also has high resistance in the vicinity of a substrate interface.例文帳に追加

十分に低い転位密度、広い面積にわたっての均質性、作製プロセスの簡便さ、経済性を満足し、基板界面付近が高抵抗の窒化物半導体薄膜を得る。 - 特許庁

To reduce a dislocation density of a semiconductor element having a laminated structure of a group III nitride-based semiconductor, which can be used as a light-emitting diode, etc., to improve the crystallinity.例文帳に追加

発光ダイオードなどとして用いることのできる、III族窒化物系半導体の積層構造を有する半導体素子の転位密度を低減し、その結晶性を向上させる。 - 特許庁

To provide a new epitaxial substrate wherein a nitride film having low dislocation density and excellent crystallinity, especially a nitride film containing Al can be formed and to provide a semiconductor laminated structure using the same.例文帳に追加

低転位で結晶性に優れた窒化物膜、特にはＡｌ含有窒化物膜を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal which yields a large effect to reduce dislocation density, can reduce the twin development probability, and has high qualities and a high single crystallization ratio.例文帳に追加

転位密度低減効果が大きく、双晶発生確率を低減することができる、高品質で単結晶化率が高い化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A group III nitride buffer film 2 of ≤1×10^8/cm^2 in spiral dislocation density containing at least Al is formed on the substrate 1 composed of a sapphire substrate, etc.例文帳に追加

サファイア基板などから構成される基板１上に、らせん転位密度が１×１０^８／ｃｍ^２以下の、少なくともＡｌを含有するIII族窒化物緩衝膜２を形成する。 - 特許庁

When Be is used as a p-type dopant, the p-type characteristics of a p-GaN layer 23 significantly depend on the dislocation density of the surface of a substrate 5 as compared with the case where Mg is used.例文帳に追加

ｐ型ドーパントとしてＢｅを用いる場合、Ｍｇを用いる場合に比べてｐ−ＧａＮ層２３のｐ型特性は、基板５の表面の転位密度に顕著に依存する。 - 特許庁

The GaAs single crystal has ≤20,000 cm^-2 average dislocation density and no crystallized particles having ≥1 μm particle diameter which cause IR scattering.例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶は、２００００ｃｍ^-2以下の平均転位密度を有し、赤外線散乱原因となる粒径１μｍ以上の析出粒子を含んでいないことを特徴としている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate, hydrogen ions are implanted into a nitride-based semiconductor crystal 10 provided on a first substrate 20 to form a hydrogen ion implanted layer 13 in a low dislocation density region 12.例文帳に追加

第１の基板２０上に設けられた窒化物系半導体結晶１０に水素イオンを注入して、低転位密度領域１２内に水素イオン注入層１３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor layer growth substrate which allows a low-dislocation-density good GaN semiconductor layer to be formed thereon and to provide a semiconductor device using the same and having excellent characteristics.例文帳に追加

転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。 - 特許庁

The dislocation density of the stripe region 13 is greater than that of the single crystal region 15, and the crystal orientation of the stripe region 13 differs from that of the single crystal region 15.例文帳に追加

ストライプ領域１３の転位密度は単結晶領域１５の転位密度より大きく、ストライプ領域１３の結晶方位は単結晶領域１５の結晶方位と異なる。 - 特許庁

To reduce surface defect by reducing the density of dislocation of a crystal layer in a process for forming a crystal layer of a nitride semiconductor using a lateral growth technology of seed crystal.例文帳に追加

種結晶による横方向成長技術を用いて窒化物半導体の結晶層を形成する工程において、結晶層の転位密度を低減し、表面欠陥を少なくする。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor substrate with superior electrically insulating performance between a compound semiconductor layer and an Si substrate, low dislocation density, and high quality, and a method for manufacturing this substrate.例文帳に追加

化合物半導体層とＳｉ基板との間の電気絶縁性にすぐれ、かつ転位密度の低い高品質の化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁