doped semiconductorとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR MANUFACTURING BORON-DOPED SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ホウ素添加シリコン半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR WAFER DOPED WITH NITROGEN例文帳に追加

窒素をドープした半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

CARBON DOPED SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICES, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

カーボンドープ半導体膜、半導体素子、及びこれらの製造方法 - 特許庁

BORON DOPED SEMICONDUCTOR NANOWIRE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ホウ素ドープ半導体ナノワイヤ及びその製造方法 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁

BORON-DOPED MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体用硼素ドープ材及びその製造方法 - 特許庁

At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

METHOD FOR SEMICONDUCTOR SOLIDIFICATION WITH ADDITION OF DOPED SEMICONDUCTOR CHARGES DURING CRYSTALLIZATION例文帳に追加

結晶化中にドープ半導体チャージを添加する半導体の凝固方法 - 特許庁