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doped polysiliconとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ドープポリシリコン
「doped polysilicon」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 173件
The first conductive layer 12 is formed of doped polysilicon or synchronous doped polysilicon.例文帳に追加
この第1導電層はドープポリシリコン或いは同期ドープポリシリコンで形成する。 - 特許庁
The p+ doped polysilicon region 21a is a region for electrically isolating the polysilicon gate electrode 10 from the n+ doped polysilicon region 22.例文帳に追加
p^+ ドープドポリシリコン21aは、ポリシリコンゲート電極10とn^+ ドープドポリシリコン領域22とを電気的に分離するための領域である。 - 特許庁
The cap 10 is formed of polysilicon, and formed by forming a doped polysilicon layer on the silicon substrate 2 and forming separator grooves 12, 14 at the doped polysilicon layer to divide the doped polysilicon layer.例文帳に追加
そして、キャップ10は、ポリシリコンからなり、シリコン基板2上にドープトポリシリコン層を形成し、ドープトポリシリコン層に分離溝12,14を形成して、ドープトポリシリコン層を分割することにより形成される。 - 特許庁
The thermopiles 37 and 38 comprise polysilicon and aluminum, and polysilicon is doped with phosphorus (P).例文帳に追加
サーモパイル37、38はポリシリコンとアルミニウムからなり、ボリシリコンには燐(P)がドープされる。 - 特許庁
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「doped polysilicon」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 173件
Then, by etching back the doped polysilicon layer 25, a portion outside the trench 6 in the doped polysilicon layer 25 is removed.例文帳に追加
その後、ドープドポリシリコン層25をエッチバックして、ドープドポリシリコン層25におけるトレンチ6外の部分を除去する。 - 特許庁
By etching back the non-doped polysilicon layer 28, a portion outside the trench 6 in the non-doped polysilicon layer 28 is removed.例文帳に追加
ノンドープポリシリコン層28をエッチバックして、ノンドープポリシリコン層28におけるトレンチ6外の部分が除去される。 - 特許庁
Over the doped polysilicon layer 21, a non-doped polysilicon layer 23 is formed in such a thickness as to fill the space 22.例文帳に追加
次いで、ドープドポリシリコン層21上に、空間22を埋め尽くすような厚さのノンドープポリシリコン層23が形成される。 - 特許庁
Impurities are not doped to the polysilicon junction frame.例文帳に追加
そして、ポリシリコン接合枠には、不純物がドーピングされていない。 - 特許庁
The protective film 9 is made of doped polysilicon.例文帳に追加
この保護膜9の素材にはドープドポリシリコンが使用されている。 - 特許庁
After thus produced fine grain polysilicon film is doped with dopant and the doped fine grain polysilicon film is subject to heat-treatment, the polysilicon is patterned and a resistor pattern is formed.例文帳に追加
このような微粒子ポリシリコン膜にドーパントをドーピングして熱処理した後に、ポリシリコンをパターニングして抵抗パターンを形成する。 - 特許庁
The method also comprises a step of forming a doped polysilicon germanium film 6b as a film having a higher activation ratio of the impurity than that of the polysilicon on the doped polysilicon film 3b.例文帳に追加
次に、ポリシリコンよりも不純物の活性化率が高い膜として、ドープトポリシリコン−ゲルマニウム膜6bをドープトポリシリコン膜3b上に形成する。 - 特許庁
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