ドープポリシリコンの英語

フィールド酸化膜３上に、帯状の複数のノンドープポリシリコン膜５が縞状に形成され、ノンドープポリシリコン膜５に隣接して帯状の下層抵抗体７が形成されている。例文帳に追加

A plurality of stripe-like nondoped polysilicon films 5 are formed on a field oxide film 3 and stripe-like lower layer resistors 7 are formed contiguously to the nondoped polysilicon films 5. - 特許庁

ポリシリコン層をアンドープとドープの２層構造とし、絶縁層４０２に接するのがアンドープポリシリコン層となっているので、酸化しにくい。例文帳に追加

Since the polysilicon layer has double layer structure of undoped and doped layers and an undoped polysilicon layer abuts on the insulation layer 402, oxidation is retarded. - 特許庁

ノンドープポリシリコン膜５上に高温酸化膜９を介して帯状の上層抵抗体１１が形成されている。例文帳に追加

A stripe-like upper layer resistor 11 is formed on the nondoped polysilicon film 5 through a high temperature oxide film 9. - 特許庁

次いで、ドープドポリシリコン層２１上に、空間２２を埋め尽くすような厚さのノンドープポリシリコン層２３が形成される。例文帳に追加

Over the doped polysilicon layer 21, a non-doped polysilicon layer 23 is formed in such a thickness as to fill the space 22. - 特許庁

素子分離層を形成した半導体層上にゲート絶縁膜を形成した後、アンドープポリシリコン膜を堆積する。例文帳に追加

An undoped polysilicon film is deposited after a gate insulating film is formed on a semiconductor layer in which a device-element isolation layer has been formed. - 特許庁

犠牲酸化膜３０の除去によって、エピタキシャル層３の表面およびノンドープポリシリコン層２８の表面が洗浄される。例文帳に追加

By removing a sacrifice oxide film 30, the surface of an epitaxial layer 3 and that of the non-doped polysilicon layer 28 are cleaned. - 特許庁

また、エミッタ電極１１を下層がノンドープポリシリコン膜１２と上層が燐ドープポリシリコン膜１３からなる２層構造とすることにより、エミッタ抵抗が低く、且つ隣接したトランジスタの電流増幅率のばらつきが小さい高性能のバイポーラトランジスタを実現する。例文帳に追加

Further, the emitter electorode 11 is forme din two-layered structure comprising a non-doped polysilicon film 12 as a lower layer and the phosphorus-doped silicon film as an upper layer and then the bipolar transistor is realized which has small emitter resistance, the small variance in the current amplification factor of the adjacent transistor, and high performance. - 特許庁

ドライエッチングされなかったＢ、Ｃ部分のチェック用導電膜（ノンドープポリシリコン膜）１７ｂと１７ｃ間の電気的な導通をチェックすれことにより、Ａ部分のノンドープポリシリコン膜１７が完全に除去されたか否かを正確に判断し、適量のドライエッチングを施す。例文帳に追加

This manufacturing method is designed to determine whether or not an oxide film 13 in a portion A is completely removed by checking electrical conduction between checking conducting films (non-doped polysilicon film 17) 17b and 17c in portions B and C which have not been dry-etched, whereby dry etching can be performed in an appropriate amount. - 特許庁