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ドープ接合の英語
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「ドープ接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 82件
亜鉛をドープしたトンネル接合を使用するレーザ例文帳に追加
LASER USING Zn-DOPED TUNNEL JUNCTION - 特許庁
第2のドープ領域は、基板の上面の近傍にあり、第1のドープ領域と共にpn接合を形成する。例文帳に追加
The second doped region is proximate to an upper surface of the substrate and forms a pn junction with the first doped region. - 特許庁
反転型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおいて指数関数的にドープした複数の層例文帳に追加
EXPONENTIALLY DOPED PLURAL LAYERS IN INVERTED METAMORPHIC MULTIJUNCTION SOLAR CELL - 特許庁
炭素ドープベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法例文帳に追加
MANUFACTURE OF HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING CARBON-DOPED BASE LAYER - 特許庁
N型ZnOとしてはAlをドープしたものを用いてPN接合を形成し発光素子を得る。例文帳に追加
For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element. - 特許庁
さらに、ボロンドープ酸化膜3D´を挟んでボンドウェハ2をベースウェハ1に接合する。例文帳に追加
Furthermore, the bond wafer 2 is joined to the base wafer 1 with the boron-doped oxide film 3D' between. - 特許庁
それはまた、第一および第二接合の間に配置され、そこに横方向に配列されている少なくとも一つのn/pまたはp/n接合と、第一接合のpまたはnドープされた領域または第二接合のnまたはpドープされた領域に接触している少なくとも一つのゲート端子とを含む。例文帳に追加
Further, at least one n/p or p/n junction which is, provided between the first and second junctions, arrayed laterally there, and at least one gate terminal G contacting the p-or n-doped region of the first junction or n- or p-doped region of the second junction, are provided. - 特許庁
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「ドープ接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 82件
トンネル半導体領域23が、第1導電型高ドープ半導体層25および第2導電型高ドープ半導体層27からなるトンネル接合(pn接合)29を含む。例文帳に追加
A tunnel semiconductor region 23 includes a tunnel junction (pn junction) 29 made up of a first conductive type highly doped semiconductor layer 25 and a second conductivity type highly doped semiconductor layer 27. - 特許庁
酸化インジウムに錫をドープして抵抗値を調節した抵抗29がジョセフソン接合を生成する為の超電導体28に接続されている。例文帳に追加
A resistor 29 whose resistance is adjusted by doping indium oxide with tin is connected with superconductor 28 for forming a Josephson junction. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、そのサブ−コレクタ層(20)中においてリン(24)でドープされている。例文帳に追加
A heterojunction bipolar transistor is doped with phosphor (24) within its sub collector layer (20). - 特許庁
ソース・ドレイン拡散層とチャネルドープ層との間に形成される冶金的接合位置の近傍に残留する空孔欠陥を低減する。例文帳に追加
Hole defects remaining near a metallurgical junction position formed between the source-drain diffusion layer and a channel dope layer are reduced. - 特許庁
また、かなり少量ドープの拡散部がトレンチの底部周囲に形成でき、固有の接合電圧により常に空乏化される。例文帳に追加
In addition, very lightly doped diffusion can also be formed along the bottom of the trench and is always depleted by the inherent junction voltage. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタのCドープAl_xGa_1-xAsベース層中にC濃度の10%以上のC−H濃度を含ませる。例文帳に追加
In a carbon-doped AlxGa1-xAs base layer 3 of a heterojunction bipolar transistor, the concentration of carbon-hydrogen bonds is at least 10% that of carbon. - 特許庁
不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ(SOI)バイポーラ接合トランジスタ(BJT)を提供すること。例文帳に追加
To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector. - 特許庁
ドープ層の結晶化率が真性層の結晶化率以上である適切な接合界面構造を得る。例文帳に追加
To obtain appropriate junction interface structure where the crystallization ration of a doped layer is equal to or more than that of an intrinsic layer. - 特許庁
1
doped junction
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