ドープ接合の英語

トンネル半導体領域２３が、第１導電型高ドープ半導体層２５および第２導電型高ドープ半導体層２７からなるトンネル接合（ｐｎ接合）２９を含む。例文帳に追加

A tunnel semiconductor region 23 includes a tunnel junction (pn junction) 29 made up of a first conductive type highly doped semiconductor layer 25 and a second conductivity type highly doped semiconductor layer 27. - 特許庁

酸化インジウムに錫をドープして抵抗値を調節した抵抗２９がジョセフソン接合を生成する為の超電導体２８に接続されている。例文帳に追加

A resistor 29 whose resistance is adjusted by doping indium oxide with tin is connected with superconductor 28 for forming a Josephson junction. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、そのサブ−コレクタ層（２０）中においてリン（２４）でドープされている。例文帳に追加

A heterojunction bipolar transistor is doped with phosphor (24) within its sub collector layer (20). - 特許庁

ソース・ドレイン拡散層とチャネルドープ層との間に形成される冶金的接合位置の近傍に残留する空孔欠陥を低減する。例文帳に追加

Hole defects remaining near a metallurgical junction position formed between the source-drain diffusion layer and a channel dope layer are reduced. - 特許庁

また、かなり少量ドープの拡散部がトレンチの底部周囲に形成でき、固有の接合電圧により常に空乏化される。例文帳に追加

In addition, very lightly doped diffusion can also be formed along the bottom of the trench and is always depleted by the inherent junction voltage. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＣドープＡｌ_xＧａ_1-xＡｓベース層中にＣ濃度の１０％以上のＣ−Ｈ濃度を含ませる。例文帳に追加

In a carbon-doped AlxGa1-xAs base layer 3 of a heterojunction bipolar transistor, the concentration of carbon-hydrogen bonds is at least 10% that of carbon. - 特許庁

不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。例文帳に追加

To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector. - 特許庁

ドープ層の結晶化率が真性層の結晶化率以上である適切な接合界面構造を得る。例文帳に追加

To obtain appropriate junction interface structure where the crystallization ration of a doped layer is equal to or more than that of an intrinsic layer. - 特許庁