doped junctionとは 意味・読み方・使い方

Further, at least one n/p or p/n junction which is, provided between the first and second junctions, arrayed laterally there, and at least one gate terminal G contacting the p-or n-doped region of the first junction or n- or p-doped region of the second junction, are provided.例文帳に追加

それはまた、第一および第二接合の間に配置され、そこに横方向に配列されている少なくとも一つのｎ／ｐまたはｐ／ｎ接合と、第一接合のｐまたはｎドープされた領域または第二接合のｎまたはｐドープされた領域に接触している少なくとも一つのゲート端子とを含む。 - 特許庁

Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長技術でｐ層、ｎ層を形成しているので高不純物濃度のｐｎ接合が精度よく形成される。 - 特許庁

In addition, very lightly doped diffusion can also be formed along the bottom of the trench and is always depleted by the inherent junction voltage.例文帳に追加

また、かなり少量ドープの拡散部がトレンチの底部周囲に形成でき、固有の接合電圧により常に空乏化される。 - 特許庁

To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector.例文帳に追加

不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。 - 特許庁

If the n-type impurity is subsequently doped, the stress-caused enhanced diffusion does not take place, and a projection is not formed at a junction interface.例文帳に追加

その後にＮ型不純物を添加すれば応力起因の増速拡散は発生することはなく、接合界面の突起は発生しない。 - 特許庁

To obtain appropriate junction interface structure where the crystallization ration of a doped layer is equal to or more than that of an intrinsic layer.例文帳に追加

ドープ層の結晶化率が真性層の結晶化率以上である適切な接合界面構造を得る。 - 特許庁

An n- doped GaN diode is provided on the n+ doped GaN diode patterned in a plurality of slender fingers, a metal layer is provided on the n- doped GaN layer to form Schottky junction between the n- GaN layer and the metal layer.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

An n^- type doped GaN diode of >1 μm thickness is arranged on the n^+ type doped GaN diode, patterned into a plurality of thin and long fingers, a metal layer is arranged on n^- type doped GaN layer, and a Schottky junction is formed in between them.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁