doped offとは 意味・読み方・使い方

Signal light inputted into a rare earth element-doped fiber 4c through a signal light terminal 1 through the intermediary of an isolator 5a and an optical multiplexer/branching filter 3a is branched off by a branching device 8b.例文帳に追加

アイソレータ５ａ、光合成分波器３ａを介して希土類元素ドープ光ファイバ４ｃに入力された信号光端子１からの信号光は、光分岐既８ｂによって分岐される。 - 特許庁

To perform off-set control with a TFT(thin-film transistor), without forming an LDD(lightly-doped drain) region and to provide a structure of thin- film integrated element, wherein the light incident from a transparent insulating substrate side is shielded surely.例文帳に追加

ＬＤＤ領域を形成することなく、ＴＦＴのオフセット制御を行うとともに、透明絶縁性基板側からの入射光の遮光を確実に行う薄膜集積素子の構造の提供。 - 特許庁

A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁

Moreover, a lightly-doped region 12, which partitions the low noise-resistant circuit 108 off a logical circuit and an interface buffer circuit, is made at the boundary inside the corner region 6, and this region is low in impurity concentration, and is high in impedance.例文帳に追加

また、角領域６の内側の境界部に、低ノイズ耐性回路１０８と論理回路およびインターフェースバッファ回路とを仕切る抵不純物濃度領域１２が形成され、この領域は不純物濃度が低く、高インピーダンスである。 - 特許庁

By this method, the interface properties of the highly doped silicon films 6s and 6d which constitute the source region and the drain region and the polycrystalline silicon film 4 which constitutes the channel region can be improved to reduce an off-state current.例文帳に追加

これによって、ソース領域およびドレイン領域を構成する高濃度不純物添加シリコン膜６ｓ，６ｄとチャネル領域を構成する多結晶シリコン膜４との界面特性を改善し、オフ電流の少なくすることができる。 - 特許庁

An L-band optical-fiber amplifier has a doped optical fiber 12 having a cut-off wavelength not shorter than 1535 nm and a coupling means 18 for coupling to the fiber 12 a pump 20 for feeding to the fiber 12 a C-band light.例文帳に追加

本発明は、１５３５ｎｍ以上のカットオフ波長を有するドープされた光ファイバ１２と、Ｃバンドの光を供給するポンプ２０をファイバへ結合する結合手段１８とを備えるＬバンド光増幅器を提供する。 - 特許庁

An optical fiber amplifier (1) includes amplifying optical fibers (31 and 32), which each have a core region (311) doped with rare earth elements and has a zero-dispersion wavelength of an excitation light wavelength or less and also has an effective cut-off wavelength not smaller than 1.1 μm and not larger than an excitation light wavelength.例文帳に追加

この発明に係る光ファイバ増幅器(1)は、希土類元素が添加されたコア領域(311)を備えるとともに、励起光波長以下の零分散波長と、１．１μｍ以上かつ励起光波長以下の実効カットオフ波長を有する増幅用光ファイバ(31,32)を含む。 - 特許庁

When a sufficient voltage is applied to the gate electrode 44, a current is made to flow from a cathode to an anode passing through the IGBT and a shallowly doped channel P 80 located under the trench gate to turn on the thyristor, and when a gate voltage drops, a channel resistance increases, the thyristor is turned off, and only an IGBT current flows.例文帳に追加

ゲート電極４４に十分な電圧がかけられた時、電流は、カソードからＩＧＢＴ部、トレンチゲート下部に浅くドープされたＰ８０チャネルを通してサイリスタをオンとしてアノードに流れ、ゲート電圧が低下すると、チャネル抵抗が増え、サイリスタはオフとなりＩＧＢＴ電流のみとなる。 - 特許庁