doped outとは 意味・読み方・使い方

A Ga impurity level in the doped region of the light emitting layer 3 is excited by exciton emission that is preferentially generated in the non-doped region to induce emission of light through an impurity level for carrying out multiple emission of light.例文帳に追加

このノンドープ領域に優先的に生成される励起子発光によって、発光層３のドープ領域のＧａ不純物準位を励起し、不純物準位を介した発光を誘導して、多段階発光を行なう。 - 特許庁

After a cooling process is carried out, a wafer is annealed at a relatively low temperature (e.g. below 625°C), and all hydrogen is eliminated from an Mg-doped layer.例文帳に追加

冷却プロセスの後、ウェーハは相対的に低い温度（例えば、６２５℃より下）でアニールされ、Ｍｇドープ層からほぼ全ての水素を除去する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction bipolar transistor (HBT) having a base leading-out electrode constituted with a boron-doped polycrystalline silicon film in which the base resistance thereof is reduced.例文帳に追加

ホウ素ドープ多結晶シリコン膜によって構成されたベース引き出し電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のベース抵抗を低減する。 - 特許庁

A stopper film (for example, an undoped silicon film and/or oxide film) is evaporated to control the dopant to be diffused out of a doped silicon film.例文帳に追加

阻止膜（例えば、ドーピングされないシリコン膜及び／又は酸化膜）を蒸着して、ドーピングされたシリコン膜から外部に拡散されるドーパントを制御する。 - 特許庁

When an independent bias voltage is applied between the second P type heavily doped layer 6 and the N type heavily doped layer 11, undesired carriers generated from other than the light receiving area can be taken out separately from the signal and the effect of undesired carriers can be suppressed.例文帳に追加

第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加することで、受光エリア外から生成する不所望のキャリアを信号とは別に取り出すことができ、不所望のキャリアによる影響を抑えることができる。 - 特許庁

This manufacturing method of a fluorine doped tin oxide film and a solar cell using the fluorine doped tin oxide film can prevent resistance increase by carrying out heating treatment in an atmosphere containing hydrogen or low molecular weight organic compound vapor, and can carry out hydrogen or low molecular weight organic compound vapor treatment by the simple equipment.例文帳に追加

水素または低分子量有機化合物蒸気を含有する大気中で加熱処理を行うことで抵抗増加を防止し、かつ、簡易な設備で水素または低分子量有機化合物蒸気処理を行うことのできるフッ素ドープ酸化スズ膜およびフッ素ドープ酸化スズ膜を用いた太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

An ion implantation processing is carried out, in order to form a doped region having a first conductivity type which is substantially below the isolation structure, by using at least two different implantation energies.例文帳に追加

イオン注入処理が、少なくとも2つの異なる注入エネルギーを用いて分離構造のほぼ下に、第1の型の導電性を有するドープ領域を形成するために実施される。 - 特許庁

The spikes of the present invention can be used to stop dopant diffusion out of a doped layer, in a variety of III-V semiconductor structures, such as InP-based PIN devices.例文帳に追加

本発明のスパイクを用いて、ＩｎＰをベースにしたＰＩＮデバイス等、様々なＩＩＩ−Ｖ族半導体構造におけるドープ層からドーパントが拡散するのを妨げることができる。 - 特許庁