highly dopedとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF FORMING EXTREMELY THIN OXYNITRIDE GATE DIELECTRIC HIGHLY DOPED WITH NITROGEN例文帳に追加

高度に窒素ドープされた超薄オキシ窒化物ゲート誘電体の形成方法 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITION BY EPITAXY OF SILICON LAYER ON HIGHLY DOPED SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

高ド—プシリコン基板上でエピタクシによってシリコン層をデポジションする方法 - 特許庁

The structure includes a highly-doped back surface field layer (24) disposed adjacent to the lightly-doped crystalline substrate (22).例文帳に追加

この構造は、低濃度ドープ結晶質基板（２２）に隣接して配置された高濃度ドープ背面電界層（２４）を含む。 - 特許庁

The region 3 of the second conductivity type is diffused in such a manner that it reaches the highly doped region 1, with an upward diffusion of doping from a highly doped substrate layer 1 to a weakly doped layer 2 of the same conductivity type concurrently.例文帳に追加

第２の伝導型の領域３は、当該領域が高ドーピング領域１に達するように拡散し、同時に高ドーピング基板層１から同じ伝導型の弱ドーピング層２へのドーピングの上方拡散を行う。 - 特許庁

Sources or drains 14 of transistors, and photodiodes 13 which constitute light blocking pixel covered by a light blocking layer 16 are formed in a surface of a highly doped well 20 formed in a lightly doped substrate 11, forming the potential barrier ΔV from the lightly doped substrate 11 toward the heavily doped well 20.例文帳に追加

遮光層１６で覆われた遮光画素を構成するトランジスタのソースまたはドレイン１４およびフォトダイオード１３は、低濃度基板１１に設けられた高濃度ウェル２０の表面に形成されている。 - 特許庁

A tunnel semiconductor region 23 includes a tunnel junction (pn junction) 29 made up of a first conductive type highly doped semiconductor layer 25 and a second conductivity type highly doped semiconductor layer 27.例文帳に追加

トンネル半導体領域２３が、第１導電型高ドープ半導体層２５および第２導電型高ドープ半導体層２７からなるトンネル接合（ｐｎ接合）２９を含む。 - 特許庁

HIGHLY STABLE AND EFFICIENT OLEDS WITH PHOSPHORESCENT-DOPED MIXED LAYER ARCHITECTURE例文帳に追加

燐光性ドープがされた混合層構造を有する、非常に安定で効率的な有機発光素子 - 特許庁

A novel highly transparent zeolite doped polymer and a zeolite monomolecular layer are produced.例文帳に追加

本発明は、新規な高度に透明なゼオライトドープポリマーおよびゼオライト単分子層の調製に関する。 - 特許庁