「doped polysilicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The cap 10 is formed of polysilicon, and formed by forming a doped polysilicon layer on the silicon substrate 2 and forming separator grooves 12, 14 at the doped polysilicon layer to divide the doped polysilicon layer.例文帳に追加

そして、キャップ１０は、ポリシリコンからなり、シリコン基板２上にドープトポリシリコン層を形成し、ドープトポリシリコン層に分離溝１２，１４を形成して、ドープトポリシリコン層を分割することにより形成される。 - 特許庁

The thermopiles 37 and 38 comprise polysilicon and aluminum, and polysilicon is doped with phosphorus (P).例文帳に追加

サーモパイル３７、３８はポリシリコンとアルミニウムからなり、ボリシリコンには燐（Ｐ）がドープされる。 - 特許庁

Then, by etching back the doped polysilicon layer 25, a portion outside the trench 6 in the doped polysilicon layer 25 is removed.例文帳に追加

その後、ドープドポリシリコン層２５をエッチバックして、ドープドポリシリコン層２５におけるトレンチ６外の部分を除去する。 - 特許庁

By etching back the non-doped polysilicon layer 28, a portion outside the trench 6 in the non-doped polysilicon layer 28 is removed.例文帳に追加

ノンドープポリシリコン層２８をエッチバックして、ノンドープポリシリコン層２８におけるトレンチ６外の部分が除去される。 - 特許庁

Over the doped polysilicon layer 21, a non-doped polysilicon layer 23 is formed in such a thickness as to fill the space 22.例文帳に追加

次いで、ドープドポリシリコン層２１上に、空間２２を埋め尽くすような厚さのノンドープポリシリコン層２３が形成される。 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD OF Yb DOPED POLYSILICON GATE例文帳に追加

ＹＢがドープされたポリシリコンゲートのドライエッチング方法 - 特許庁

Impurities are not doped to the polysilicon junction frame.例文帳に追加

そして、ポリシリコン接合枠には、不純物がドーピングされていない。 - 特許庁

The protective film 9 is made of doped polysilicon.例文帳に追加

この保護膜９の素材にはドープドポリシリコンが使用されている。 - 特許庁

After thus produced fine grain polysilicon film is doped with dopant and the doped fine grain polysilicon film is subject to heat-treatment, the polysilicon is patterned and a resistor pattern is formed.例文帳に追加

このような微粒子ポリシリコン膜にドーパントをドーピングして熱処理した後に、ポリシリコンをパターニングして抵抗パターンを形成する。 - 特許庁

The method also comprises a step of forming a doped polysilicon germanium film 6b as a film having a higher activation ratio of the impurity than that of the polysilicon on the doped polysilicon film 3b.例文帳に追加

次に、ポリシリコンよりも不純物の活性化率が高い膜として、ドープトポリシリコン−ゲルマニウム膜６ｂをドープトポリシリコン膜３ｂ上に形成する。 - 特許庁

A second polysilicon layer doped with the same dopant as the first polysilicon layer or a different dopant is formed on the dielectric layer.例文帳に追加

誘電層上に、第１ポリシリコン層と同じドーパントまたは異なるドーパントでドープされた第２ポリシリコン層が形成される。 - 特許庁

USING OF INDIUM FOR FIXING WORK FUNCTION OF P-TYPE DOPED POLYSILICON OR POLYSILICON GERMANIUM例文帳に追加

ｐ型ドープされたポリシリコン又はポリシリコン・ゲルマニウムの仕事関数を定めるためのインジウムの使用 - 特許庁

The polysilicon films 3, 4 are covered with a resist 6a and only the polysilicon film 2 is doped with low concentration B (boron) ion.例文帳に追加

ポリシリコン膜３，４をレジスト６ａで覆い、ポリシリコン膜２のみに低濃度のＢ（ホウ素）イオンをドープする。 - 特許庁

Since the polysilicon layer has double layer structure of undoped and doped layers and an undoped polysilicon layer abuts on the insulation layer 402, oxidation is retarded.例文帳に追加

ポリシリコン層をアンドープとドープの２層構造とし、絶縁層４０２に接するのがアンドープポリシリコン層となっているので、酸化しにくい。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited overlying the semiconductor substrate, gate electrode, and dielectric spacers wherein the polysilicon layer is heavily doped.例文帳に追加

基板、ゲート電極、及び誘電体スペーサーの上にポリシリコン層を堆積し、この層を高濃度にドープする。 - 特許庁

A boron-doped polysilicon layer and a non-doped polysilicon layer are alternately laminated on a silicon substrate to form a laminated product, and the boron-doped polysilicon layer is divided into a plurality of gate electrodes 21 by forming a slit extending in X-direction.例文帳に追加

シリコン基板上にボロンドープドポリシリコン層とノンドープドポリシリコン層とを交互に積層させて積層体を形成し、Ｘ方向に延びるスリットを形成することにより、ボロンドープドポリシリコン層を複数本のゲート電極２１に分断する。 - 特許庁

Phosphorous is doped in the polysilicon layer 15, and nitrogen is doped in the tungsten-silicide layer 16.例文帳に追加

多結晶シリコン層１５にはリンがドープされ、タングステン・シリサイド層１６には窒素がドープされている。 - 特許庁

An impurity-doped polycrystal silicon film (doped polysilicon film) 11 is provided as a base of the aluminum wiring layer 12.例文帳に追加

このアルミニウム配線層１２の下地として不純物ドープされた多結晶シリコン膜（ドープト・ポリシリコン膜）１１が設けられている。 - 特許庁

The polysilicon layer 13 is composed of an impurity-doped region 131 and a non-doped region 132 which are mixedly present.例文帳に追加

このポリシリコン層１３は、不純物のドープされた領域１３１とノンドープ領域１３２が混在したものとなっている。 - 特許庁

To form polysilicon having minute crystal particles and having phosphorus or boron doped therein.例文帳に追加

微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成すること。 - 特許庁

On the substrate surface and the inside of the trench 31, a non-doped polysilicon film 33 is laminated.例文帳に追加

基板表面およびトレンチ３１の内部にノンドープのポリシリコン膜３３を積層する。 - 特許庁

A doped polysilicon layer 25 having a thickness for completely burying a trench 6 is formed on an oxide film 24.例文帳に追加

酸化膜２４上に、トレンチ６を埋め尽くす厚さのドープドポリシリコン層２５が形成される。 - 特許庁

An impurity-doped polysilicon layer 12 is deposited over the entire surface, including the inside of a hole 8A.例文帳に追加

ホール８Ａの内部を含む全面に不純物が導入されたポリシリコン層１２を堆積する。 - 特許庁

The non-doped polysilicon layer is removed by wet etching through the through-hole 30.例文帳に追加

次に、貫通ホール３０を介してウェットエッチングを行い、ノンドープドポリシリコン層を除去する。 - 特許庁

A polysilicon film 12 doped with impurities and a WSi film 13 are further grown on the gate oxide film 11.例文帳に追加

ゲート酸化膜１１の上に、ＤＰＳ膜１２、およびＷＳｉ膜１３を成長させる。 - 特許庁

A p-n junction diode of the n+ doped polysilicon region 22 and p+ doped polysilicon region 21b functions as a temperature detecting element 17.例文帳に追加

ｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２とｐ^+ドープドポリシリコン領域２１ｂとで構成されるｐｎ接合ダイオードが温度検知素子１７として機能する。 - 特許庁

Then, by etching back, parts of the doped polysilicon layer 21 and the non-doped polysilicon layer 23 other than in the first trench 6 and the second trench 7 are removed.例文帳に追加

その後、エッチバックにより、ドープドポリシリコン層２１およびノンドープポリシリコン層２３における第１トレンチ６および第２トレンチ７外の部分が除去される。 - 特許庁

Then, a non-doped polysilicon layer 28 having a thickness for completely burying the trench 6 is laminated on the oxide film 24, and the doped polysilicon layer 25 in the trench 6.例文帳に追加

次いで、酸化膜２４およびトレンチ６内のドープドポリシリコン層２５上に、トレンチ６を埋め尽くす厚さのノンドープポリシリコン層２８が積層される。 - 特許庁

The doped polysilicon films 21a and 21c contain first impurities, and the second doped polysilicon film 21b contains second impurities that are of opposite-conductivity type.例文帳に追加

ドープドポリシリコン膜２１ａ、２１ｃは、第１の不純物を含んでおり、ドープドポリシリコン膜２１ｂは、反対の導電型を有する第２の不純物を含んでいる。 - 特許庁

When the thus formed P-type doped polysilicon film 18, the N-type doped polysilicon film 1' are used for the dual gates, characteristics of the device are improved.例文帳に追加

このように形成したP型ドープトポリシリコン膜１８とN型ドープトポリシリコン膜１８’とデュアルゲートに用いると、デバイスの特性が向上する。 - 特許庁

A bipolar transistor of polysilicon emitter structure has a polysilicon region 8 doped with impurities, and an emitter region 30 having a thin film layer 30 containing carbon at an interface with the polysilicon region 8.例文帳に追加

多結晶シリコンエミッタ構造のバイポーラトランジスタであって、不純物をドープされた多結晶シリコン領域８と、多結晶シリコン領域８との界面に炭素含有薄膜層３０を有するエミッタ領域３０を具備する。 - 特許庁

A capacitor consists of a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode, and the upper electrode is formed of a laminated structure of a first undoped polysilicon film 106a, a doped polysilicon film 106b and a second undoped polysilicon film 106c.例文帳に追加

下部電極、誘電体膜、及び上部電極からなるキャパシタであって、前記上部電極が第１アンドープポリシリコン膜106aとドープポリシリコン膜106ｂと第２アンドープポリシリコン膜106ｃの積層構造で形成される。 - 特許庁

The upper part of polysilicon filled in the via is doped for the formation of a second terminal 36 of the semiconductor device, the polysilicon is annealed into a single-grain polysilicon.例文帳に追加

ビア内のポリシリコンの上側部分にドープし、半導体素子の第２端子（３６）を形成し、ポリシリコンをアニールして、これを単粒子ポリシリコンに変換する。 - 特許庁

A temperature detecting part, which includes a p+ doped polysilicon region 21a, an n+ doped polysilicon region 22 and a p+ doped plysilicon region 21b, is positioned above a function region of a power block 4.例文帳に追加

パワー半導体素子１のポリシリコンゲート電極１０に連続して配置されたｐ^+ ドープドポリシリコン２１ａ、ｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２、ｐ^+ ドープドポリシリコン領域２１ｂからなる温度検知部を、パワーセルブロック４の機能領域の上部に配置する。 - 特許庁

The W polysilicon polycide 11 located on an n-well region 2 is constituted of a p-type doped polysilicon film 12 and a W silicide film 13 doped with an impurity, that is of the same kind and moreover an quantity larger than that of the p-type doped silicon film 12.例文帳に追加

Ｎウェル領域２上に配置されたＷポリサイド配線１１は、Ｐ型のドープドポリシコン膜１２と、この膜１２に含まれる不純物と同種で且つそれよりも多い量の不純物が導入されたＷシリサイド膜１３とから構成されている。 - 特許庁

A first transfer electrode 25 and a second transfer electrode 26 are so formed as to have a three-layer structure consisting of a non-doped polysilicon layer 31 doped with no impurities, an oxide film layer 32, and a polysilicon layer 33 doped with impurities, which are stacked in this order.例文帳に追加

第１の転送電極２５および第２の転送電極２６を不純物をドープしないノンドープポリシリコン層３１と、酸化膜層３２と、不純物をドープしたポリシリコン層３３とをそれらの順に積層した３層構造を有するように構成する。 - 特許庁

Then a non-doped second silicon layer 22 is formed covering the first polysilicon layer 20 and the same impurity as that diffused in the first polysilicon layer 20 is diffused in the second polysilicon layer 22 to the same impurity density with the first polysilicon layer 20.例文帳に追加

次に、第１のポリシリコン層２０を覆って、ノンドープの第２のポリシリコン層２２を形成し、その後、第２のポリシリコン層２２に、第１のポリシリコン層２０に拡散したものと同じ不純物を、第１のポリシリコン層２０と同じ不純物濃度となるよぅに拡散する。 - 特許庁

A first polysilicon layer doped with an N type dopant or a P type dopant is formed at least on a gate oxide layer.例文帳に追加

少なくともゲート酸化層上に、Ｎ型ドーパントまたはＰ型ドーパントでドープされた第１ポリシリコン層が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GERMANIUM DOPED POLYSILICON GATE OF MOS TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING CMOS TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲルマニウムがドーピングされたポリシリコンゲートの形成方法及びこれを利用したＣＭＯＳトランジスタの形成方法 - 特許庁

Phosphorus(P) is doped from the upper part of the protective film 2 to the polysilicon film 1 by an ion implantation method.例文帳に追加

この保護膜２の上から、多結晶シリコン膜１に対してリン（Ｐ）をイオン注入法で添加する。 - 特許庁

A Z movable electrode 5 made of doped polysilicon is disposed between the silicon substrate 2 and the cap 12.例文帳に追加

シリコン基板２とキャップ１２との間には、ドープトポリシリコンからなるＺ可動電極５が設けられている。 - 特許庁

A gate electrode 5 including a p-type polysilicon layer doped with boron is then formed on the nitride layer 4.例文帳に追加

窒化層４上に、ホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン層を含むゲート電極５を形成する。 - 特許庁

The doping gas should be injected before the doped silicon structure is transformed from an amorphous to a polysilicon state.例文帳に追加

ドーピングされたシリコン構造物が非晶質状態からポリ状態に変化する前にドーピングガスを注入する。 - 特許庁

To provide a method for forming a dual gate electrode having an in situ boron-doped polysilicon film having stable characteristics.例文帳に追加

安定な特性のインサイチュ硼素ドープトポリシリコン膜を備えるデュアルゲート電極を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

A first area 106a of the zener diode is composed of conductivity-type third polysilicon doped with the second impurities.例文帳に追加

また、ツェナーダイオード１０６の第１領域１０６ａは、第２の不純物がドープされた第１導電型の第３のポリシリコンからなる。 - 特許庁