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emitter junctionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エミッタ接合
「emitter junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 97件
DIELECTRIC EMITTER HAVING PN JUNCTION例文帳に追加
PN接合を有する誘電体放出器 - 特許庁
A base emitter junction is formed as a heterojunction, and a base collector junction is also formed as a heterojunction.例文帳に追加
ベース・エミッタ接合をヘテロ接合にすると共に、ベース・コレクタ接合もヘテロ接合とする。 - 特許庁
A thickness of the emitter electrode 50 is set so that a boron implanted to the emitter electrode 50 does not reach the emitter-base junction due to boron diffusion into the emitter electrode 50.例文帳に追加
エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極50に注入されたボロンがエミッタ電極50内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁
To form an emitter mesa of a hetero junction bipolar transistor more precisely.例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタメサがより正確に形成できるようにする。 - 特許庁
The hetero junction bipolar transistor comprises an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6.例文帳に追加
エミッタ層4、べース層5、コレクタ層6を具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタである。 - 特許庁
To suppress tunnel leak between emitter and bases of a lateral bipolar transistor, which is due to junction between high concentration emitter and bases.例文帳に追加
ラテラルバイポーラトランジスタのエミッタ・ベースが高濃度どうしの接合となることによって発生するエミッタ・ベース間のトンネルリークを抑える。 - 特許庁
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING IMPROVED EMITTER-BASE JUNCTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR例文帳に追加
改良型エミッタ−ベース接合を持つヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
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「emitter junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 97件
Thus, the injection of a carrier from successively biased base/emitter junction to reversely biased base/collector junction can be made large.例文帳に追加
短縮により、順バイアスされたベース/エミッタ接合から逆バイアスされたベース/コレクタ接合への担体の注入が大きくなる。 - 特許庁
The emitter region is formed such that an emitter/base pn junction terminates at the undersurface of the thin dielectric 40c of the base cover 50B.例文帳に追加
エミッタ領域は、エミッタ−ベース間PN接合がベースカバー部50Bの絶縁薄膜40cの下面に終端するように形成する。 - 特許庁
A process for forming an emitter for a bipolar junction transistor and a bipolar junction transistor formed by the process are included.例文帳に追加
バイポーラ接合型トランジスタ用のエミッタを形成する工程、およびこの工程に従って形成されるバイポーラ接合型トランジスタである。 - 特許庁
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR EQUIPPED WITH SINGLE CRYSTAL EXTERNAL BASE AND EMITTER, AND METHOD RELATED THERETO例文帳に追加
単結晶外部ベース及びエミッタを備えたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及び関連する方法 - 特許庁
This mitigates an electric field of an insulating film in the vicinity of an end of the junction part between the emitter layer and the base layer close to the emitter layer and provided with a gate.例文帳に追加
これにより、エミッタ層と、そのエミッタ層に近接する、ゲートが設けられるベース層との接合部の端部近傍の絶縁膜の電界を緩和する。 - 特許庁
The hetero-junction bipolar transistor 100 is provided with collector layers 2, 3, a base layer 4, an emitter layer 5 and an emitter contact mesa 6 which are laminated in this order on a substrate 1.例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ100は、基板1上に順次に積層されたコレクタ層2、3、ベース層4、エミッタ層5およびエミッタコンタクトメサ6を有する。 - 特許庁
As shown in Fig. B, concentration distribution of the base region on the side nearer base-to- collector junction face is made deeper than that of a base-to-emitter junction face.例文帳に追加
図1Bに示すように、ベース領域の濃度分布が、ベースエミッタ接合面側よりもベースコレクタ接合面側に近づくにつれて濃くなっている。 - 特許庁
The encapsulant 203 covers the emitter 202 and a selective line junction 211, and protects them from damage.例文帳に追加
封入部分203は、エミッタ202及び選択的な線接合部211を覆い且つこれらを損傷から保護する。 - 特許庁
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