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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > field oxide filmの意味・解説 

field oxide filmとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「field oxide film」の意味

field oxide film

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「field oxide film」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 395



例文

FORMATION OF FIELD OXIDE FILM例文帳に追加

フィールド酸化膜形成法 - 特許庁

The surface of the field oxide film is used as a gate and the downside of the field oxide film is used as a channel region.例文帳に追加

フィールド酸化膜の上をゲートとし、フィールド酸化膜の下側をチャネル領域とする。 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ - 特許庁

At this time, the surface of a field oxide film is also polished.例文帳に追加

その際、フィールド酸化膜の表面も研磨する。 - 特許庁

OXIDE FILM FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

In a process for forming a field oxide film, a buffer oxide film 52 and a field oxide mask layer 53 are formed over the whole face of a semiconductor substrate 51.例文帳に追加

フィールド酸化膜を形成する工程では、半導体基板(51)の全面にバッファ酸化膜(52)とフィールド酸化マスク層(53)が形成される。 - 特許庁

例文

INDIUM OXIDE FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND INDIUM OXIDE FILM FOR FIELD EMISSION ELECTRODE OR CARRIER BASE例文帳に追加

酸化インジウム膜とその製造方法、電界放出電極用または担持基体用酸化インジウム膜 - 特許庁

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「field oxide film」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 395



例文

UNIDIRECTIONAL METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND APPLICATIONS THEREOF例文帳に追加

単方向金属酸化膜半導体電界効果トランジスターとその応用 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果型トランジスターとその製造方法 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS GATE STRUCTURE例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよびそのゲート構造 - 特許庁

A field-oxide region is formed on the insulating-film liner 18a.例文帳に追加

フィールド酸化膜領域が絶縁ライナー18a上に形成される。 - 特許庁

Next, a field oxide film is made to stop the trench.例文帳に追加

次に、トレンチを埋め立てるフィールド酸化膜を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a through hole 15 is formed in the field oxide film 6.例文帳に追加

次に、フィールド酸化膜6に貫通孔15を形成する。 - 特許庁

FIELD ENHANCED OXIDE FILM PRODUCING APPARATUS AND INFORMATION RECORDING APPARATUS PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

電界支援酸化膜作製装置およびそれを備えた情報記録装置 - 特許庁

例文

The gate oxide film 21 is formed with a film thickness having a gate breakdown voltage that is higher than a device breakdown voltage of a regular field oxide film or the like.例文帳に追加

ゲート酸化膜21は通常のフィールド酸化膜などの素子耐圧以上のゲート耐圧を有する膜厚で形成される。 - 特許庁

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「field oxide film」の意味に関連した用語

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