フィールド酸化膜の英語

次に、トレンチを埋め立てるフィールド酸化膜を形成する。例文帳に追加

Next, a field oxide film is made to stop the trench. - 特許庁

次に、フィールド酸化膜６に貫通孔１５を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a through hole 15 is formed in the field oxide film 6. - 特許庁

フィールド酸化膜２０上およびゲート酸化膜２２上に導電層１０２を形成する。例文帳に追加

A conductive layer 102 is formed on the field oxidized film 20 and the gate oxidized film 22. - 特許庁

そして、フォトレジスト層を除去し、フィールド酸化工程を進行することにより、露出された半導体基板の表面と分離領域上において、フィールド酸化マスク層の下側にフィールド酸化膜が形成される。例文帳に追加

Then, the photoresist layer is removed, and a field oxidizing process is advanced, so that a field oxide film can be formed at the lower side of the field oxide mask layer on the surface of the exposed semiconductor substrate and the isolation region. - 特許庁

フィールド酸化膜１９上にゲート電極２０と第１フィールドプレート２２ａ〜２２ｄ，２３が設けられている。例文帳に追加

A gate electrode 20 and first field plates 22a-22d, 23 are provided on a field oxide film 19. - 特許庁

フィールド絶縁膜の形成工程を含む半導体装置装置の製造方法に関し、素子の劣化を防止するフィールド絶縁膜の形成を可能にし、また、フィールド酸化膜の平坦化を可能にすること。例文帳に追加

To enable formation of a field insulating film which prevents the deterioration of an element and also enable the flattening of a field oxide film, in the manufacture of a semiconductor device which includes the formation process of the field insulating film. - 特許庁

フィールド酸化膜内に導電体膜を含む半導体素子及びその形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR ELEMENT CONTAINING CONDUCTOR FILM IN FIELD OXIDE FILM AND FORMING METHOD THEREFOR - 特許庁

フィールド酸化膜5およびMOSトランジスタ6表面には、層間絶縁膜7が形成されている。例文帳に追加

A layer insulation film 7 is formed in a surface of the field oxide film 5 and a surface of the MOS transistor 6. - 特許庁