フィールド酸化の英語

次に、トレンチを埋め立てるフィールド酸化膜を形成する。例文帳に追加

Next, a field oxide film is made to stop the trench. - 特許庁

次に、フィールド酸化膜６に貫通孔１５を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a through hole 15 is formed in the field oxide film 6. - 特許庁

そして、フォトレジスト層を除去し、フィールド酸化工程を進行することにより、露出された半導体基板の表面と分離領域上において、フィールド酸化マスク層の下側にフィールド酸化膜が形成される。例文帳に追加

Then, the photoresist layer is removed, and a field oxidizing process is advanced, so that a field oxide film can be formed at the lower side of the field oxide mask layer on the surface of the exposed semiconductor substrate and the isolation region. - 特許庁

フィールド酸化膜１９上にゲート電極２０と第１フィールドプレート２２ａ〜２２ｄ，２３が設けられている。例文帳に追加

A gate electrode 20 and first field plates 22a-22d, 23 are provided on a field oxide film 19. - 特許庁

フィールド酸化膜２０上およびゲート酸化膜２２上に導電層１０２を形成する。例文帳に追加

A conductive layer 102 is formed on the field oxidized film 20 and the gate oxidized film 22. - 特許庁

ＩＧＢＴチップの外周部において、フィールド酸化膜１３上におけるフィールドプレート１４とフィールドプレート１５との間に、ＩＧＢＴセルを囲むように形成された中間電位電極２０が設けられる。例文帳に追加

An intermediate potential electrode 20 formed to surround an IGBT cell is provided between field plates 14 and 15 on a field oxide film 13 at the outer circumferential part of an IGBT chip. - 特許庁

フィールド絶縁膜の形成工程を含む半導体装置装置の製造方法に関し、素子の劣化を防止するフィールド絶縁膜の形成を可能にし、また、フィールド酸化膜の平坦化を可能にすること。例文帳に追加

To enable formation of a field insulating film which prevents the deterioration of an element and also enable the flattening of a field oxide film, in the manufacture of a semiconductor device which includes the formation process of the field insulating film. - 特許庁

このため、フィールド酸化膜３８の全長Ｌ１を長くしたり、フィールド酸化膜３８の膜厚を増加させたり、フィールド酸化膜３８の下にある半導体基板３６の表面に注入するチャンネルストップイオンの濃度をより高くしたりすることなしに、素子分離を行なうことができる。例文帳に追加

This makes it possible to separate elements without increasing the overall length L1 of the field oxide film 38, increasing the film thickness of the field oxide film 38, or further strengthening the concentration of channel stop ions that are injected in the surface of the semiconductor substrate 36 located under the field oxide film 38. - 特許庁