フィールド酸化マスクの英語

また同じく上記ゲート電極をマスクとして、ドレインセルＤＣ１およびフィールド酸化膜ＩＳ１ａおよびＩＳ１ｂに対してそれらフィールド酸化膜を貫通させるようなイオン注入を行って、Ｎ型の不純物領域を形成する。例文帳に追加

In addition, an n-type impurity region is formed by implanting ions into a drain cell DC1 and field oxide films IS1a and IS1b so that the ions pass through the films IS1a and IS1b by using the gate electrodes 142a-142c as masks. - 特許庁

ハードマーキングに際して、素子間分離領域ＦＡにフィールド酸化膜２を形成するための耐酸化マスク１２が素子領域ＴＡを飛散物質１ｃから保護するためのマーキング用保護膜１２として兼用される。例文帳に追加

At the time of forming the mark 3, an non-oxidizable mask 12 used for forming a field oxide film in an element separating area FA is also used as a protective film 12 for marking to protect an element area TA from the scattered substance. - 特許庁

ゲート電極１２をマスクとして窒素を注入し熱処理を施すことによって窒素の濃度ピークがフィールド酸化膜１３に接する前記シリコン層３表面に位置するようにする。例文帳に追加

By injecting nitrogen to perform heat processing with the gate electrode 12 being the mask, a peak of the nitrogen concentration is made to be positioned at the surface of the silicon layer 3 in contact with a field oxide film 13. - 特許庁

能動領域の単結晶Ｓｉ52（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）およびフィールド上の多結晶Ｓｉ51（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）を含むＣＶＤ成長ベースＮＰＮベース層上に自己整合酸化物マスクを形成する。例文帳に追加

The self-aligning oxide mask is formed on a CVD growth base NPN base layer including a single crystal Si52 (Si/SiGe) in an active area and a poly-crystal Si51 (Si/SiGe). - 特許庁

この方法によれば、バリア層１２によって、マスク層９，１０の除去時にフィールド酸化膜２が保護されるため、その厚みｔを制御することができ。例文帳に追加

Since a field oxide film 2 is protected at removal of a mask layer with a barrier layer by this method, the thickness (t) can be controlled. - 特許庁

次に、フィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に中濃度のＰ型不純物をイオン注入し、中不純物濃度のＰ型領域１５を形成する。例文帳に追加

Then, a P-type impurity having a middle concentration is ion-implanted to the P-type region 11 with the field oxide film 12 as an implantation mask for forming a P-type region 15 having an intermediate impurity concentration. - 特許庁

低不純物濃度のＰ型領域１１上に形成されたフィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に高濃度のＮ型不純物をイオン注入し、高不純物濃度のＮ型領域１４を形成する。例文帳に追加

An N-type impurity having a high concentration is ion-implanted to a P-type region 11 with a field oxide film 12 formed on the P-type region 11 having a low impurity concentration as an implantation mask, and an N-type region 14 having a high impurity concentration is formed. - 特許庁

ペリ領域に定義されたフィールド領域を露出させる第１フォトレジストを形成し、第１フォトレジストをマスクとしてパッド窒化膜２２とパッド酸化膜２１と半導体基板２０をエッチングして第２トレンチ２５を形成する。例文帳に追加

A first photo-resist is formed for exposing the field region defined in the peripheral region; and the pad nitride film 22, the pad oxide film 21, and the semiconductor substrate 20 are etched by using the first photo-resist as a mask so that a second trench 25 can be formed. - 特許庁