LOCOSとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 気の狂った、ロコ草(locoの複数形)
「LOCOS」を含む例文一覧
該当件数 : 239件
P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2 using a resist mask.例文帳に追加
そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２の形成箇所にｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁
P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2, using a resist mask.例文帳に追加
そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２形成箇所に、ｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁
The first LOCOS separation structure is composed of a LOCOS oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate and a CVD oxide film formed thereon, and the second LOCOS separation structure is composed of the LOCOS oxide film.例文帳に追加
第１ＬＯＣＯＳ分離構造は、半導体基板の表面に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜と、その上に形成されたＣＶＤ酸化膜からなり、第２ＬＯＣＯＳ分離構造は、ＬＯＣＯＳ酸化膜からなる。 - 特許庁
Thereafter, the LOCOS oxide film 14 is formed.例文帳に追加
その後、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４を形成する。 - 特許庁
Thereafter, a LOCOS structure 28 is formed through a LOCOS oxidation process using a silicon nitride film 26 as a mask.例文帳に追加
その後、シリコン窒化膜２６をマスクとして、ＬＯＣＯＳ酸化を行いＬＯＣＯＳ構造２８を形成する。 - 特許庁
A LOCOS oxide film 6 is formed on the front surface of the silicon layer 5 by a LOCOS method (thermal oxidation method).例文帳に追加
ＬＯＣＯＳ法（熱酸化法）により、シリコン層５の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜６が形成される。 - 特許庁
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「LOCOS」を含む例文一覧
該当件数 : 239件
To provide an LOCOS offset MOS transistor exhibiting high driving capability and stabilized characteristics while ensuring high breakdown voltage.例文帳に追加
高耐圧を確保し、且つ駆動能力の高い安定した特性をもつLOCOSオフセット型MOSトランジスタを提供する。 - 特許庁
To remove adverse effects of current characteristics due to a parasitic MOS transistor formed at a boundary portion between an SOI layer and an LOCOS oxide film.例文帳に追加
SOI層とLOCOS酸化膜との境界部に形成される寄生MOSトランジスタによる電流特性の悪影響を除去する。 - 特許庁
Thereafter, the LOCOS oxidized film 8 is formed above the trench 5.例文帳に追加
その後、トレンチ５の上方に、ＬＯＣＯＳ酸化膜８を形成する。 - 特許庁
A LOCOS oxide film 8 is formed on the surface of an epitaxial layer 5.例文帳に追加
エピタキシャル層５の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜８を形成する。 - 特許庁
A LOCOS 12 is formed on a silicon substrate 11.例文帳に追加
シリコン基板１１上には、ＬＯＣＯＳ１２が形成されている。 - 特許庁
Successively, the region of a LOCOS oxide film 7 formed in a division is used as a LOCOS oxide film region 7a, and the full length of the end of the LOCOS oxide film region 7a in the division is made equal to the length of the edge of the LOCOS oxide film region 7a.例文帳に追加
続いて、区画内に形成されるＬＯＣＯＳ酸化膜７の領域をＬＯＣＯＳ酸化膜領域７ａとして、区画内におけるＬＯＣＯＳ酸化膜領域７ａ端部の全長をＬＯＣＯＳ酸化膜領域７ａのエッジ長とする。 - 特許庁
The element isolation area is a lamination structure comprised of the LOCOS oxide film.例文帳に追加
素子分離領域は、ＬＯＣＯＳ酸化膜の積層構造よりなる。 - 特許庁
Thereafter, the LOCOS oxide films 22 are formed in the openings 21.例文帳に追加
その後、開口部２１にＬＯＣＯＳ酸化膜２２を形成する。 - 特許庁
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