LOCOS isolationとは 意味・読み方・使い方

On an LOCOS insulating film 13 covering the element isolation region 12, a plurality of polysilicon layers 15A, 15B and 15C are formed as fuse wiring.例文帳に追加

素子分離領域１２を覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３上には、ヒューズ配線として複数のポリシリコン層１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which the loss of thickness in an LOCOS film can be reduced and the isolation characteristic of element can be improved.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜厚ロスを減少させ、例えば素子分離特性等の改善を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An element isolation LOCOS film 103 is formed around a first element region on a surface of an N type epitaxial layer 102 formed on an N type silicon substrate 101.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１０１上に形成されたＮ型エピタキシャル層１０２も表面に、第１の素子領域を囲んで素子分離ＬＯＣＯＳ膜１０３が形成される。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+ type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11, and an LOCOS insulating film 13 covering it.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２と、それを覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁

To attain miniaturization of a nonvolatile semiconductor storage device, eliminating the need for forming a LOCOS isolation region in an impurity diffusion layer that is to serve as a bit line.例文帳に追加

不揮発性の半導体記憶装置において、ビット線となる不純物拡散層の上にＬＯＣＯＳ分離領域を形成する必要をなくして、該装置の微細化を実現できるようにする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing system which can make with LOCOS the element isolation films, that is, the size of an active region to be fixed for each semiconductor substrate to be manufactured in formation of an element isolation film on a semiconductor substrate, whereon a flash memory is formed.例文帳に追加

フラッシュメモリが形成される半導体基板上に素子分離膜をロコスで形成する場合において、素子分離膜間の距離、すなわち活性領域の寸法を製造される半導体基板ごとに一定にさせることが可能な半導体装置製造システムを得ること。 - 特許庁

An emitter electrode 104a of the horizontal PNP transistor to become an injector is formed of the P type semiconductor film at a position not crossing the periphery of the element isolation LOCOS film separate from the collector electrode 104a.例文帳に追加

コレクタ電極１０４ａと離れてかつ素子分離ＬＯＣＯＳ膜の周辺部を横切らない位置に、インジェクタとなる横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ電極１０４ｂがＰ型半導体膜により形成される。 - 特許庁

A ring-like LOCOS oxide film 3b for isolation deeper than the outer base region 6 is formed around the outer base region 6 and a ring-like second conductivity type collector plug region 8 deeper than the oxide film 3b is provided around the oxide film 3b.例文帳に追加

外部ベース領域６の周囲にこれよりも深いリング状の素子内分離用ＬＯＣＯＳ酸化膜３ｂを設け、さらにその周囲にそれよりも深いリング状の第２導電型のコレクタプラグ領域８を設ける。 - 特許庁