「LOCOS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereafter, the LOCOS oxide film 14 is formed.例文帳に追加

その後、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

Look, delcampo was the only estrellas locos that was on the gun, right?例文帳に追加

見ろ デルカンポだけが エストレ・ロコスの 銃だった - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Estrellas locos will kill to protect their turf.例文帳に追加

エストレ・ロコスは縄張りを 守るために殺すでしょう - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

A LOCOS oxide film 6 is formed on the front surface of the silicon layer 5 by a LOCOS method (thermal oxidation method).例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ法（熱酸化法）により、シリコン層５の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜６が形成される。 - 特許庁

Thereafter, a LOCOS structure 28 is formed through a LOCOS oxidation process using a silicon nitride film 26 as a mask.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜２６をマスクとして、ＬＯＣＯＳ酸化を行いＬＯＣＯＳ構造２８を形成する。 - 特許庁

The first LOCOS separation structure is composed of a LOCOS oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate and a CVD oxide film formed thereon, and the second LOCOS separation structure is composed of the LOCOS oxide film.例文帳に追加

第１ＬＯＣＯＳ分離構造は、半導体基板の表面に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜と、その上に形成されたＣＶＤ酸化膜からなり、第２ＬＯＣＯＳ分離構造は、ＬＯＣＯＳ酸化膜からなる。 - 特許庁

To provide an LOCOS offset MOS transistor exhibiting high driving capability and stabilized characteristics while ensuring high breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧を確保し、且つ駆動能力の高い安定した特性をもつLOCOSオフセット型MOSトランジスタを提供する。 - 特許庁

To remove adverse effects of current characteristics due to a parasitic MOS transistor formed at a boundary portion between an SOI layer and an LOCOS oxide film.例文帳に追加

SOI層とLOCOS酸化膜との境界部に形成される寄生MOSトランジスタによる電流特性の悪影響を除去する。 - 特許庁

A LOCOS 12 is formed on a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１上には、ＬＯＣＯＳ１２が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the LOCOS oxide films 22 are formed in the openings 21.例文帳に追加

その後、開口部２１にＬＯＣＯＳ酸化膜２２を形成する。 - 特許庁

Successively, the region of a LOCOS oxide film 7 formed in a division is used as a LOCOS oxide film region 7a, and the full length of the end of the LOCOS oxide film region 7a in the division is made equal to the length of the edge of the LOCOS oxide film region 7a.例文帳に追加

続いて、区画内に形成されるＬＯＣＯＳ酸化膜７の領域をＬＯＣＯＳ酸化膜領域７ａとして、区画内におけるＬＯＣＯＳ酸化膜領域７ａ端部の全長をＬＯＣＯＳ酸化膜領域７ａのエッジ長とする。 - 特許庁

Thereafter, the LOCOS oxidized film 8 is formed above the trench 5.例文帳に追加

その後、トレンチ５の上方に、ＬＯＣＯＳ酸化膜８を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a silicon nitride film is formed on the silicon oxide film and an LOCOS film 2 is formed using the silicon nitride film having an opening as a mask before removing the resist film, the silicon nitride film and the silicon oxide film.例文帳に追加

続いて、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成し、開口部が形成されたシリコン窒化膜をマスクとして、LOCOSを行うことにより、LOCOS膜２を形成し、レジストマスク，シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

Subsequently, a silicon nitride film is formed on the silicon oxide film, and an LOCOS film 2 is formed using the silicon nitride film having an opening as a mask before removing the resist film, the silicon nitride film and the silicon oxide film.例文帳に追加

続いて、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成し、開口部が形成されたシリコン窒化膜をマスクとして、LOCOSを行うことによりLOCOS膜２を形成し、レジストマスク，シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

In an LOCOS oxide film formation process, after heating the inside of a chamber to the oxidization temperature at which LOCOS oxidization is carried out, thermal control is performed so as to make the oxidizing velocity in LOCOS oxidization increase gradually.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜形成工程において、ＬＯＣＯＳ酸化が行われる酸化温度までチャンバー内を加熱したのち、ＬＯＣＯＳ酸化における酸化速度を徐々に増加させるように制御する。 - 特許庁

The element isolation area is a lamination structure comprised of the LOCOS oxide film.例文帳に追加

素子分離領域は、ＬＯＣＯＳ酸化膜の積層構造よりなる。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 8 is formed on the surface of an epitaxial layer 5.例文帳に追加

エピタキシャル層５の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜８を形成する。 - 特許庁

LOCOS OFFSET TYPE TRANSISTOR AND REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセットタイプトランジスタとそれを用いた基準電圧発生回路 - 特許庁

Then LOCOS oxidation is performed on both front and rear surfaces of the substrate 10.例文帳に追加

次に、シリコン基板１０の表裏両面に対し、ＬＯＣＯＳ酸化を行う。 - 特許庁

The first LOCOS oxide film 5 is formed, using a silicon nitride film 3 as the first mask, the first LOCOS oxide film 5 is removed, then the second LOCOS oxide film 10 is formed by forming the silicon nitride film 8 again as the second mask.例文帳に追加

第１マスクとなるシリコン窒化膜３をマスクとして第１LOCOS酸化膜５を形成したのち、その第１LOCOS酸化膜５を除去してしまい、その後、再び第２マスクとなるシリコン窒化膜８を形成して第２LOCOS酸化膜１０を形成するようにする。 - 特許庁

A conductive film is formed so as to cover the LOCOS film and the gate oxide film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜およびゲート酸化膜を覆うように導電膜を形成する。 - 特許庁

The field insulating material 66 is formed so that it has a LOCOS oxide film.例文帳に追加

フィールド絶縁材料６６はＬＯＣＯＳ酸化膜を有するように形成される。 - 特許庁

SOI, LOCOS ON HOT SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＳＯＩおよびＨＯＴ半導体装置上のＬＯＣＯＳおよびその製造方法 - 特許庁

An LOCOS insulating film 3 is provided below the end of an electrode 6 while the electrode 6 is so formed that the end of the electrode 6 rides over the LOCOS insulating film 3.例文帳に追加

電極６の端部の下にＬＯＣＯＳ絶縁膜３を設けて、電極６の端部がＬＯＣＯＳ絶縁膜３上に乗り上がるように電極６を形成する。 - 特許庁

An offset impurity layer 42 is formed under the semi-recessed LOCOS layer 40.例文帳に追加

セミリセスＬＯＣＯＳ層４０の下に、オフセット不純物層４２が設けられている。 - 特許庁

Accordingly, it becomes possible to adjust the film thickness of an LOCOS oxide film easily.例文帳に追加

そして、ＬＯＣＯＳ酸化膜の膜厚を容易に調整することが可能となる。 - 特許庁

The depth of the cavity 9 is larger than the thickness of the LOCOS oxide film 3.例文帳に追加

空洞９の深さはＬＯＣＯＳ酸化膜３の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed in a contact region of a silicon substrate by a LOCOS method first.例文帳に追加

まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

On the whole rear surface of the substrate 10, additionally, a LOCOS oxide film 40B is grown.例文帳に追加

シリコン基板１０の裏面には、全体でＬＯＣＯＳ酸化膜４０Ｂが成長する。 - 特許庁

A LOCOS oxide film is formed of an oxidation resistant film, and is eliminated.例文帳に追加

耐酸化膜３３によってＬＯＣＯＳ酸化膜３４を形成し、これを除去する。 - 特許庁

The Locos oxide layer 102 includes a first region 102a and a second region 102b.例文帳に追加

Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２は、第１領域１０２ａと第２領域１０２ｂとを含む。 - 特許庁

The rugged part is constituted of a LOCOS oxide film 5, formed on the silicon substrate 1 and the front surface of the silicon substrate 1, in which the LOCOS oxide film is not formed.例文帳に追加

前記凹凸部は、シリコン基板１上に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜５と、該ＬＯＣＯＳ酸化膜が形成されていないシリコン基板１の表面とによって構成されている。 - 特許庁

The LOCOS film is divided into the element isolation layer and a highly thickened part for composing the end of the gate oxide film by partially etching the LOCOS film exposed by the etching of the conductive film.例文帳に追加

導電膜のエッチングによって露出したＬＯＣＯＳ膜を部分的にエッチングしてＬＯＣＯＳ膜を素子分離層とゲート酸化膜の端部を構成する高膜厚部とに分割する。 - 特許庁

A first offset impurity layer 42 is formed under the first semi-recessed LOCOS layer 40, and a second offset impurity layer 52 is formed under the second semi- recessed LOCOS layer 50.例文帳に追加

第１のセミリセスＬＯＣＯＳ層４０の下に、第１のオフセット不純物層４２が形成され、第２のセミリセスＬＯＣＯＳ層５０の下に、第２のオフセット不純物層５２が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a silicon nitride film is formed on the silicon oxide film, and an LOCOS film 2 is formed using the silicon nitride film having an opening, made by etching the silicon nitride film using a resist mask, as a mask before removing the resist film, the silicon nitride film and the silicon oxide film.例文帳に追加

続いて、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成し、レジストマスクを用いてシリコン窒化膜のエッチングを行うことにより開口部を形成し、開口部が形成されたシリコン窒化膜をマスクとして、LOCOSを行うことにより、LOCOS膜２を形成し、レジストマスク，シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

To suppress a semiconductor substrate which has an LOCOS structure from warping in manufacturing processes.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ構造の半導体基板において、製造工程に発生する基板の反りを抑制する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MOS TRANSISTOR WITH LOCAL OXIDATION OF SILICON (LOCOS) OFFSET STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセット構造のＭＯＳトランジスタを含む半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

To reduce an area of a recess LOCOS structure of a semiconductor device, and to suppress a leakage current.例文帳に追加

半導体装置のリセスＬＯＣＯＳ構造の面積縮小及びリーク電流の抑制を図る。 - 特許庁

The cavity 9 is formed of the recess 5 and the opening 3a of a LOCOS oxide film.例文帳に追加

空洞９は凹部５とＬＯＣＯＳ酸化膜の開口部３ａによって形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 5 is formed on an epitaxial silicon layer 2 via a LOCOS film 4.例文帳に追加

エピタキシャル・シリコン層２上には、ＬＯＣＯＳ膜４を介してゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

A surface of at least a part of the source region 12 and the drain region 13 is formed lower than the other regions by removing a thick oxide film which is formed in the vicinity of the gate electrode 10 by using a LOCOS method.例文帳に追加

ソース領域１２とドレイン領域１３の少なくとも一部の表面は、ゲート電極１０近傍にLOCOS法を用いて形成した厚膜酸化膜の除去することで他よりも低く形成する。 - 特許庁

To form an electric field alleviating layer without adding a manufacturing process, while raising breakdown voltage of a LOCOS offset drain-type MOS transistor by alleviating an electric field of the LOCOS oxide film end.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセットドレイン型高耐圧ＭＯＳトランジスタのＬＯＣＯＳ酸化膜端の電界を緩和し耐圧を向上させると共に、電界緩和層を工程追加することなく形成する。 - 特許庁

To inhibit the effect caused by the stress produced in the interface between an LOCOS oxide film and a silicon substrate during oxidization, without making oxidization temperature higher than needed during LOCOS oxide film formation.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜形成時に必要以上に酸化温度を高くしなくても、酸化時にＬＯＣＯＳ酸化膜とシリコン基板との界面に生じる応力による影響を抑制できるようにする。 - 特許庁

If the impurity area 7b is made into a source or a drain, the periphery of a gate electrode 4 formed between the LOCOS oxide films 2 can be made to locate on the LOCOS oxide film 2, so that the dimensional error of a channel area 10c is resulted only from the dimensional error of the LOCOS oxide film 2.例文帳に追加

不純物領域７ｂをソース又はドレインとすると、ＬＯＣＯＳ酸化膜２の相互間に形成されたゲート電極４の周辺部を、ＬＯＣＯＳ酸化膜２上に位置させることができるため、チャネル領域１０ｃの寸法の誤差を、ＬＯＣＯＳ酸化膜２の寸法誤差のみに起因させることができる。 - 特許庁

The thickness of the LOCOS layer 7 is not smaller than 2.3 times the thickness of the SOI layer 4 and not larger than 2.7 times the thickness of the layer 4.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ層７の厚さは、ＳＯＩ層４の厚さの２．３倍以上、２．７倍以下である。 - 特許庁