「LOCOS」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The resistor element 34 used to obtain the electrical resistance is formed on the LOCOS separating layer 33 through a gate insulating film 37.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ分離層３３上には、電気抵抗を得るために用いられる抵抗素子３４が、ゲート絶縁膜３７を介して形成されている。 - 特許庁

(j): A field oxide film 22 is made by performing the LOCOS treatment using the silicon nitride film 13 patterned in specified form as a thermal oxidation mask.例文帳に追加

（ｊ）所定形状にパターニングした窒化シリコン膜１３を熱酸化マスクとしたＬＯＣＯＳ処理を行ってフィールド酸化膜２２を形成する。 - 特許庁

This offset area consists of low density impurity layers 63a and 57a provided under an offset LOCOS layer 65a on the silicon substrate.例文帳に追加

このオフセット領域は、シリコン基板２１上のオフセットＬＯＣＯＳ層６５ａの下に設けられた低濃度不純物層６３ａ，５７ａからなる。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (a semiconductor device) has a transistor element 31, an STI separating layer 32, a LOCOS separating layer 33, and a resistor element 34.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、ＳＴＩ分離層３２と、ＬＯＣＯＳ分離層３３と、抵抗素子３４とを有する。 - 特許庁

Moreover, a second diffused region 50 is extended to a cell region 60 at the part of a first LOCOS oxide film end 37 and contact a source electrode 35a.例文帳に追加

更に第１のＬＯＣＯＳ酸化膜端３７の部分に第２の拡散領域５０をセル領域６０まで延ばし、ソース電極３５ａでコンタクトする。 - 特許庁

By this manufacturing method, the diffusion layer 11 can be formed with high positional accuracy without being influenced by the shape of the LOCOS oxide film.例文帳に追加

この製造方法により、ＬＯＣＯＳ酸化膜の形状に影響を受けることなく、拡散層１１を位置精度良く形成することができる。 - 特許庁

On an LOCOS insulating film 13 covering the element isolation region 12, a plurality of polysilicon layers 15A, 15B and 15C are formed as fuse wiring.例文帳に追加

素子分離領域１２を覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３上には、ヒューズ配線として複数のポリシリコン層１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが形成されている。 - 特許庁

To avoid compression stress which is produced, when a body region is oxidized from its bottom surface side by excessive oxidation, after LOCOS oxidation reaches an embedded oxide film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化が埋め込み酸化膜に達した後の過剰な酸化により、ボディ領域が底面側から酸化され、圧縮応力が発生する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can control constriction from occurring in a resist pattern, on the step at the end of an LOCOS insulating film, and its manufacture.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ絶縁膜の端部の段差部上でレジストパターンにくびれが発生するのを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device and a CVD system in which the bird's beak length is reduced as micromachining is performed using an LOCOS process.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳプロセスを用いた微細加工に伴ないバーズビーク長を縮小させる半導体装置の製造方法及びＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which the loss of thickness in an LOCOS film can be reduced and the isolation characteristic of element can be improved.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜厚ロスを減少させ、例えば素子分離特性等の改善を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An Si substrate 11, on which a pad oxide film 12 for forming LOCOS and a silicon nitride film 13 for etching mask are formed is loaded in a vessel 30.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ形成用のパッド酸化膜１２とエッチングマスクであるシリコン窒化膜１３とが形成されたＳｉ基板１１をベッセル３０内に設置する。 - 特許庁

Consequently, a LOCOS oxide film 40A is grown as an inter-element separating film in the region where the silicon nitride film 20A does not exist on the front surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には、シリコン窒化膜２０Ａのない領域でＬＯＣＯＳ酸化膜４０Ａが成長し、素子間分離膜として形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which steps produced on the top surface of an LOCOS oxidized film formed above a trench can be relieved.例文帳に追加

トレンチの上方に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜の上面に生じる段差を緩和することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

If the overlapping length of the ion implantation region and the LOCOS oxide film is 3 μm or more, the occurrence of the crystal defects can be increased further.例文帳に追加

また、イオン注入領域とＬＯＣＯＳ酸化膜のオーバーラップ量を３μｍ以上とすれば、より結晶欠陥の発生割合を高めることができる。 - 特許庁

On a silicon substrate 12, used for forming an MOSFET 11, an LOCOS 13, a gate oxide film 14, a gate electrode 15, and a silicon compound 16 are formed.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１１を形成するためのシリコン基板１２に、ＬＯＣＯＳ１３，ゲート酸化膜１４，ゲート電極１５およびシリコン化合物１６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is formed of a ground insulating film 3 and a plurality of LOCOS oxide films 6 which are formed on a silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置１は、シリコン基板２上に酸化シリコンからなる下地絶縁膜３と複数のＬＯＣＯＳ酸化膜６が形成されている。 - 特許庁

Making an ion implantation region and a LOCOS oxide film overlap, the crystal defects can be formed in the surface layer part of a first silicon substrate.例文帳に追加

イオン注入領域とＬＯＣＯＳ酸化膜とをオーバラップさせることにより、第１のシリコン基板の表層部に結晶欠陥を形成することができる。 - 特許庁

A radiation beam of high energy is shot from a laser generator 11 to a LOCOS oxide film 23 existing in the vicinity of the defected portion to provide the OBIC image by the shot.例文帳に追加

該欠陥個所の近くのＬＯＣＯＳ酸化膜２３に、レーザー発生装置１１から高エネルギーの放射ビームをショットし、該ショットによるＯＢＩＣ像を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with the gate interconnect line of a voltage drive transistor arranged on a LOCOS oxide film, capable of restraining dielectric breakdown from occurring around the edges of the LOCOS oxide film, and has a long service life, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device at a low cost.例文帳に追加

電圧駆動型トランジスタのゲート配線がＬＯＣＯＳ酸化膜上に配置されてなる半導体装置であって、ＬＯＣＯＳ酸化膜のエッジ周りにおける絶縁破壊が抑制された長寿命の半導体装置、および当該半導体装置を安価に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is equipped with the gate interconnect line gh of the voltage drive transistor, the one end of the gate interconnect line gh is arranged on the LOCOS oxide film 3, and a second oxide film 6a is formed under the gate interconnect line gh that traverses the edge of the LOCOS oxide film 3 so as to cover the edge.例文帳に追加

電圧駆動型トランジスタのゲート配線ｇｈの一端が、ＬＯＣＯＳ酸化膜３上に配置されてなる半導体装置１００において、ＬＯＣＯＳ酸化膜３のエッジを横切るゲート配線ｇｈ下に、エッジを覆う第２の酸化膜６ａが形成されてなる半導体装置とする。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a BOX layer 3, an SOI layer 4 formed on the BOX layer 3, a LOCOS layer 7 formed on the BOX layer 3, and an partial depletion type SOI-MOS FET 10 formed in a region (that is, element region) of the SOI layer 4 surrounded by the LOCOS layer 7 in a plan view.例文帳に追加

ＢＯＸ層３と、ＢＯＸ層３上に形成されたＳＯＩ層４と、ＢＯＸ層３上に形成されたＬＯＣＯＳ層７と、ＳＯＩ層４のうちの、ＬＯＣＯＳ層７により平面視で囲まれている領域（即ち、素子領域）に形成された部分空乏型のＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ１０と、を備える。 - 特許庁

An ohmic contact region 15 is formed in the gate electrode 11 across the N-type region 11a and the P-type regions 11b on the LOCOS oxide film 3.例文帳に追加

ゲート電極１１にはＬＯＣＯＳ酸化膜３上でＮ型領域１１ａ及びＰ型領域１１ｂに跨ってオーミックコンタクト領域１５が形成されている。 - 特許庁

An LOCOS film 110, a gate oxide film 120, an insulation film 130, a floating gate 140 and a control gate 150 are provided on a silicon substrate 100 and a memory cell is constituted.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、ＬＯＣＯＳ酸化膜１１０、ゲート酸化膜１２０、絶縁膜１３０、フローティングゲート１４０、コントロールゲート１５０を設けてメモリセルを構成する。 - 特許庁

After the silicon nitride film is removed, upper corner of the LOCOS oxide film 6 is sharpened by etching.例文帳に追加

続いて、前記シリコン窒化膜を除去した後に、前記ＬＯＣＯＳ酸化膜６の上部角部が尖鋭となるようにエッチング処理する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In this semiconductor device, LOCOS oxide films 14, 15, and N-type diffusion layers 22, 23 are formed around a P-type diffusion layer 18 as an emitter region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、エミッタ領域としてのＰ型の拡散層１８の周囲には、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４、１５、Ｎ型の拡散層２２、２３が形成される。 - 特許庁

To prevent a drop of inversion voltage of a parasitic MOS transistor formed by metal wiring formed on a LOCOS oxide film through an interlayer insulating film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜上に層間絶縁膜を介して形成された金属配線によって形成される寄生ＭＯＳトランジスタの反転電圧の低下を防止する。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 3, N-type well region 5, gate oxide film 9, gate electrode 11 and source/drain regions 13 are formed on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に、ＬＯＣＯＳ酸化膜３、Ｎ型ウエル領域５、ゲート酸化膜９、ゲート電極１１並びにソース及びドレイン領域１３が形成されている。 - 特許庁

By providing no LDD region on the LOCOS offset transistor and providing an LDD region on the regular transistor, the two can have no off leakage current.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセットトランジスタにはＬＤＤ領域を設けず、通常のトランジスタにはＬＤＤ領域を設けることにより、ともにオフリーク電流をなくすることができる。 - 特許庁

Capacitor cells CAP are all formed on an LOCOS oxide film on an N-type well region, so that a level difference h1 between wells can be canceled with each other.例文帳に追加

キャパシタ・セルＣＡＰは、すべてＮ型ウエル領域２上のＬＯＣＯＳ酸化膜４上に配置されているので、ウエル間の段差ｈ１を相殺することができる。 - 特許庁

As a result, the distance between a drain 26 present in the n-well 16 and the p-well 18 can be prevented from decreasing without increasing the length of the semi-recessed LOCOS oxide film 20.例文帳に追加

よって、セミリセスＬＯＣＯＳ酸化膜２０の長さを大きくすることなく、ｐウェル１８とｎウェル１６のドレイン２８との距離を短くしないようにすることができる。 - 特許庁

Consequently, when the LOCOS oxide film 3 is formed, an area of oxygen supply to the silicon substrate 1 is suppressed, to suppress an amount of oxygen infiltrating the silicon substrate 1.例文帳に追加

これにより、ＬＯＣＯＳ酸化膜３を形成する際に、シリコン基板１に対する酸素の供給面積を抑え、シリコン基板１に侵入する酸素量を抑制する。 - 特許庁

An element isolation LOCOS film 103 is formed around a first element region on a surface of an N type epitaxial layer 102 formed on an N type silicon substrate 101.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１０１上に形成されたＮ型エピタキシャル層１０２も表面に、第１の素子領域を囲んで素子分離ＬＯＣＯＳ膜１０３が形成される。 - 特許庁

Thereafter, when the LOCOS oxide film 6 and the silicon layer 5 are dug continuously, the trench 7 is formed, and an element-forming region 10 is insulation-isolated.例文帳に追加

その後、ＬＯＣＯＳ酸化膜６およびシリコン層５が連続して掘り下げられることにより、トレンチ７が形成されて、素子形成領域１０が絶縁分離される。 - 特許庁

To prevent penetration to a polysilicon film of a contact hole when the contact hole connected to the polysilicon film is formed at a silicon oxide film formed by a LOCOS method.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ法により形成された酸化シリコン膜上のポリシリコン膜に接続されるコンタクトホールを作製する際に、コンタクトホールがポリシリコン膜を突き抜けないようにする。 - 特許庁

A field oxidized film 20 is formed on the semiconductor layer 18 formed on a box layer 16 constituting the SOI wafer 12 of the semiconductor device 100 by LOCOS method.例文帳に追加

半導体装置１００のＳＯＩウェハ１２を構成するＢＯＸ層１６上に形成された半導体層１８に，ＬＯＣＯＳ法によりフィールド酸化膜２０を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, a silicon nitride film 51 on the polycrystalline silicon resistor 33 formed on the LOCOS oxide film 41 is eliminated wholly.例文帳に追加

この半導体集積回路装置では、ＬＯＣＯＳ酸化膜４１上に形成された多結晶シリコン抵抗体３３上のシリコン窒化膜５１が全面除去される。 - 特許庁

A high reliability npn transistor insusceptible to the effect of charges on an LOCOS oxide film 9 or to the effect of a voltage being applied to an interconnect line on the LOCOS oxide film 9 and having a low leak current with no variation can be fabricated by forming an anti-inversion region B on the surface layer of the p base region 6 of the npn transistor.例文帳に追加

ｎｐｎトランジスタのｐベース領域６の表面層に反転防止領域Ｂを形成することで、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の電荷の影響や、ＬＯＣＯＳ酸化膜９上の配線に印加される電圧の影響を受けない、リーク電流の少なく、変動がない高い信頼性のｎｐｎトランジスタを形成することができる。 - 特許庁

A conductive part 5 for preventing crosstalk is formed in a LOCOS 6 so that at least a part thereof comes in contact with a silicon substrate 1 at the lower part of the LOCOS 6 of a circuit isolating region 4 including an insulating layer between a digital circuit forming region 2 and an analog circuit forming region 3 of the silicon substrate 1 where a digital circuit and an analog circuit are formed.例文帳に追加

デジタル回路とアナログ回路が形成されているシリコン基板１のデジタル回路形成領域２とアナログ回路形成領域３との間に絶縁層を有する回路分離領域４のＬＯＣＯＳ６の下部のシリコン基板１に少なくとも一部が接触するようにＬＯＣＯＳ６の内部にクロストーク防止用の導電部５が形成されている。 - 特許庁

To provide a lateral MOS transistor in which centralization of electric field in the voltage resistance characteristic in the source electrode side of locos oxide film has been relaxed, and to also provide a method of manufacturing the same transistor.例文帳に追加

Ｌｏｃｏｓ酸化膜のソース電極側での耐圧特性における電界集中を緩和した横型ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A field oxide film for electrically isolating an NMOS from a PMOS is formed by depositing a silicon oxide film on the active layer of an SOI substrate by using a LOCOS method.例文帳に追加

ＮＭＯＳとＰＭＯＳとを電気的に分離するフィールド酸化膜を、ＬＯＣＯＳ法を用いてＳＯＩ基板の活性層にシリコン酸化膜を成膜することにより形成する。 - 特許庁

Since the position of the barrier part can be freely selected by selection oxidization by the LOCOS method, the area of the reaction field enclosed by the barrier part can be readily selected.例文帳に追加

また、障壁部の位置は、ＬＯＣＯＳ法による選択酸化によって自由に選択できるので、障壁部によって囲まれる反応場の面積も容易に選択できるようになる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+ type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11, and an LOCOS insulating film 13 covering it.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２と、それを覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁

An n-well 103 is formed, as an individual electrode, beneath the LOCOS and an n+ layer 104 is formed at a part on the surface of the n-well in order to decrease the resistance.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳの下層には個別電極としてｎウェル１０３が形成されており、ｎウェルの表面の一部分には抵抗を低減するため、ｎ＋層１０４が形成されている。 - 特許庁

An n--type epitaxial silicon layer 3 for collector is formed on the surface of an n+-type silicon substrate 21 having a crystal plane azimuth of (100), and a silicon oxide layer 4 made by the LOCOS method is formed thereon.例文帳に追加

結晶の面方位が（１００）であるｎ^+ 型シリコン基板２１の表面にコレクタ用ｎ^- 型エピタキシャル・シリコン層３が、その上にロコス法からなるシリコン酸化膜４がある。 - 特許庁