forbidden gapとは 意味・読み方・使い方

The fourth semiconductor layer 6 is provided so as to have a gap in a portion thereof on the third semiconductor layer 5, and has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the second semiconductor layer 4.例文帳に追加

第４半導体層６は、第３半導体層５の上において一部に隙間を有して設けられ、第２半導体層４の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has the wide gap near the forbidden band width of the first semiconductor, and also functions as a p-type wide gap semiconductor through injection of holes due to the second semiconductor.例文帳に追加

このp型ワイドギャップ半導体は、第１半導体の禁制帯幅に近いワイドギャップを持ち、且つ、第２半導体により正孔が注入されることにより、１個のp型ワイドギャップ半導体として機能する。 - 特許庁

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。 - 特許庁

The forbidden gap of the compound semiconductor constituting the base layer 10a is narrower than that of the compound semiconductor constituting the collector layer 6a.例文帳に追加

ベース層１０ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅は、コレクタ層６ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅より狭い。 - 特許庁

The forbidden gap of the compound semiconductor constituting the base layer 10a is narrower than that of the compound semiconductor constituting the emitter layer 12a.例文帳に追加

ベース層１０ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅は、エミッタ層１２ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅より狭い。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has an aligned lamination of a layer 12 formed of a second semiconductor showing the p-type electrical characteristic on the layers 11, 11' formed of a first semiconductor having the forbidden band width of 2.8 eV or more.例文帳に追加

本発明のp型ワイドギャップ半導体は、2.8eV以上の禁制帯幅を有する第１の半導体から成る層１１、１１’の上に、p型の電気特性を示す第２の半導体から成る層１２が整合積層していることを特徴とする。 - 特許庁