gst-7とは 意味・読み方・使い方

Consequently, the interface film 7 can be patterned so as to contain the whole plane shape of the GST film 23 as the phase-change film and be made wider than the plane shape of the GST film 23.例文帳に追加

その結果、相変化膜であるＧＳＴ膜２３の平面形状全体を含み、かつＧＳＴ膜２３の平面形状より広くなるように界面膜７をパターニングすることができる。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁