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high dielectric gateとは 意味・読み方・使い方
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「high dielectric gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 385件
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE ELECTRODE例文帳に追加
高kゲート誘電体および金属ゲート電極を有する半導体デバイス - 特許庁
MANUFACTURING OF TRANSISTOR GATE AND METHOD FOR DECREASING ROUGHNESS OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE DIELECTRIC例文帳に追加
トランジスタゲートの製造及び高誘電率ゲート誘電体の粗さを減少する方法 - 特許庁
FORMATION METHOD FOR GATE LAMINATION HAVING HIGH K DIELECTRIC例文帳に追加
高K誘電体を有するゲート積層の形成方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING HIGH-DIELECTRIC-CONSTANT GATE INSULATING FILM例文帳に追加
高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法 - 特許庁
INTERFACE LAYER GROWTH FOR HIGH-K GATE DIELECTRIC AT HIGH TEMPERATURE例文帳に追加
高温度における高kゲート誘電体用の界面層成長 - 特許庁
To simply manufacture a CMOS device having a gate dielectric made of a high-k dielectric.例文帳に追加
高k材料で作られるゲート誘電体を有するCMOSデバイスを簡単に製造する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method which causes no high dielectric constant gate insulation film/silicon interface near the high dielectric constant gate insulation film or in the gate edge in a semiconductor device which uses silicide for a gate electrode and the high dielectric constant gate insulation film for a gate insulation film.例文帳に追加
ゲート電極にシリサイドを使用し、ゲート絶縁膜に高誘電率ゲート絶縁膜を使用する半導体装置において、高誘電率ゲート絶縁膜近傍やゲートエッジに高誘電率ゲート絶縁膜/シリコン界面が生じない半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁
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「high dielectric gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 385件
GETTERING OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE DIELECTRICS DEFECT USING DOPANT例文帳に追加
ドーパントを用いる高誘電率ゲート誘電体欠陥のゲッタリング - 特許庁
Then a gate electrode 110 is formed on the high K dielectric 108.例文帳に追加
その後、ゲート電極(110)が高K誘電体(108)上に形成される。 - 特許庁
MULTI-LAYER HIGH QUALITY GATE DIELECTRIC FOR LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON TFT例文帳に追加
低温ポリシリコンTFTのための多層高品質ゲート誘電体 - 特許庁
PROCESS FOR FORMING TRIPLE GATE OXIDE FILM USING HIGH DIELECTRIC CONSTANT INSULATING MATERIAL例文帳に追加
高比誘電率絶縁材料を用いた三重ゲート酸化膜製造方法 - 特許庁
The floating gate 5 and the control gate 8 (word line WL) are separated by the high dielectric film 6.例文帳に追加
浮遊ゲート5と制御ゲート8(ワード線WL)は高誘電体膜6によって分離されている。 - 特許庁
A High-K dielectric film 102 is formed so as to come in contact with the sides of a High-K gate dielectric film 104 and then annealed in an oxygen atmosphere.例文帳に追加
High-Kゲート誘電膜104の側面と接触するようにHigh-K誘電膜102を形成した後、酸素雰囲気中でアニールする。 - 特許庁
To provide a trench-gate-type semiconductor device having high flatness of a gate electrode, with a high-dielectric film as a gate insulating film.例文帳に追加
高誘電体膜をゲート絶縁膜とし、ゲート電極の平坦性が高いトレンチゲート形半導体装置を提供する。 - 特許庁
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