LOW-TEMPERATURE POLY-SILICONとは 意味・読み方・使い方

MULTI-LAYER HIGH QUALITY GATE DIELECTRIC FOR LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON TFT例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴのための多層高品質ゲート誘電体 - 特許庁

METHOD OF FORMING LOW TEMPERATURE POLY SILICON TFT GATE OXIDE FILM例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴゲート酸化膜の形成方法 - 特許庁

To provide a flat panel display device and a producing method therefor, capable of increasing the through-put of poly-crystallization when poly- crystallizing amorphous silicon layer formed on a substrate by using a low temperature poly-silicon producing process.例文帳に追加

本発明は、低温ポリシリコン製造プロセスを用いて基板上に形成したアモルファスシリコン層を多結晶化する際、多結晶化のスループットを高くすることができるフラットパネル表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To rationalize/reduce a process of achieving cost reduction of liquid crystal image display where a low temperature poly silicon is used as a semiconductor element.例文帳に追加

低温ポリシリコンを半導体素子とする液晶画像表示装置の低価格化を実現するプロセスの合理化・削減。 - 特許庁

To prevent a non-display area of an output electrode terminal part from increasing in a liquid crystal display device having an integrated circuit comprising low temperature poly-crystal silicon TFTs and a COG-packaged IC.例文帳に追加

低温多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路とＣＯＧ実装されたＩＣを有する液晶表示装置において、取り出し電極端子部の非表示領域が広くなることを防止するものである。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device capable of minimizing DC electric field leakage even in a case of using low temperature poly-silicon TFTs, and keeping display quality at a certain constant level.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴを用いた場合であっても、直流電界漏れを最小限にすることができ、表示画質を一定の水準で保持することができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a level conversion circuit, a display apparatus, and a mobile terminal using the same, capable of amplifying the same input voltage as a power source voltage of an IC using low-temperature poly-silicon which has a high threshold voltage value and large variations.例文帳に追加

高いしきい値電圧を持ち、バラツキが大きい低温ポリシリコンを使用して、ＩＣの電源電圧と同じ入力電圧を増幅することができるレベル変換回路、表示装置およびそれ用いた携帯端末を提供する。 - 特許庁