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internal getteringとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 内部ゲッタリング
「internal gettering」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
THERMALLY-ANNEALED WAFER WITH IMPROVED INTERNAL GETTERING PROPERTY例文帳に追加
内部ゲッタリング性の改良された熱アニーリングされたウエハ - 特許庁
HETERO-EPITAXIAL SEMICONDUCTOR SUBJECTED TO INTERNAL GETTERING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
内部ゲッタリングされたヘテロエピタキシャル半導体ウエハ及びその製造方法 - 特許庁
To provide a method for heat-treating a silicon wafer to improve an internal gettering property.例文帳に追加
シリコンウエハを熱処理して内部ゲッタリング性を改良する方法を提供する。 - 特許庁
To provide an epitaxial wafer having excellent crystallinity and an IG (internal gettering) capability.例文帳に追加
優れた結晶性とＩＧ能力を有するエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁
To provide a method for evaluating internal gettering capability accurately in a short time at low cost by evaluating an internal gettering action accurately without actual measurement.例文帳に追加
インターナルゲッタリングの挙動を正確に、かつ実際の測定を行うことなく、予測できるようにし、インターナルゲッタリング能の評価を正確に、かつ短時間、低コストで行える方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR EVALUATING ACTION OF INTERNAL GETTERING IN SILICON WAFER, AND STORAGE MEDIUM WITH PROGRAM FOR EVALUATING THE ACTION STORED THEREON例文帳に追加
シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測する方法および同挙動を予測するプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a silicon wafer and an epitaxial wafer, for easily and quickly forming a gettering site and effectively suppressing occurrence of dislocation induced by internal stresses.例文帳に追加
本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁
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「internal gettering」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
To provide a manufacturing apparatus of a silicon wafer for easily and quickly forming a gettering site and effectively suppressing occurrence of dislocation induced by internal stresses.例文帳に追加
本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造装置を提供することにある。 - 特許庁
This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加
ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a silicon wafer, for quickly manufacturing the silicon wafer, and further easily and quickly forming a gettering site and effectively suppressing occurrence of dislocation induced by internal stresses.例文帳に追加
本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide an evaluation method of a silicon wafer for simply evaluat ing the internal gettering (IG) capability of a silicon wafer where heat treatment is made non-destructively, to provide the silicon wafer where desired IG capabil ity is added by carrying out heat treatment under heat treatment conditions for adding the IG capability obtained by the evaluation method, and to provide a silicon epitaxial wafer.例文帳に追加
熱処理が施されたシリコンウェーハのＩＧ能力を、非破壊で簡便に評価することができるシリコンウェーハの評価方法及びその評価方法を用いて得られたＩＧ能力を付与するための熱処理条件によって熱処理することによって所望のＩＧ能力が付与されたシリコンウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁
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