interstitial clustersとは 意味・読み方・使い方

Consequently, the vacancies simultaneously diminish by pair annihilation with the interstitial silicon in the silicon single crystal 9, and occurrence of defects (COP (crystal originated particle), FPD (flow pattern deft), or the like) caused by vacancy clusters is suppressed.例文帳に追加

その結果、シリコン単結晶９内で空孔が格子間シリコンとの対消滅によって同時に消滅し、空孔クラスタによる欠陥（ＣＯＰ、ＦＰＤなど）の発生が抑制される。 - 特許庁

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁

Using a rapid heating furnace, a silicon wafer is heat-treated for 10 second at 1,150°C under an atmosphere of ammonia or nitrogen gas in order to inject vacancies into the wafer, and then the wafer is heat-treated consecutively for 1 second at 1,150°C under an atmosphere of oxygen gas in order to inject interstitial silicon into high density vacancies or vacancy clusters thus causing pair annihilation.例文帳に追加

急速加熱炉を用い、シリコンウェーハを、アンモニアあるいは窒素ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒間熱処理してウェーハ内部に空孔を注入し、これに連続してウェーハを酸素ガスの雰囲気下、１１５０℃、１秒間熱処理し、高濃度の空孔や空孔クラスターに格子間シリコンを注入して対消滅させた。 - 特許庁