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The method is one using the LEC method, wherein the lowest surface of the liquid phase as a raw material melt 4 is situated below the region of the heat generation part of a resistance heater 5 in the initial stage of growing a compound semiconductor single crystal 9 by pulling.例文帳に追加
化合物半導体単結晶９を引き上げ育成する初期段階で、原料融液４である液相の最下面の位置を、抵抗加熱ヒータ５の発熱部の領域から下に外す。 - 特許庁
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