The semiconductor device is characterized by comprising a semiconductor substrate and a p-channel MOS transistor provided on the semiconductor substrate, the transistor including a first gate insulating film 106 including Hf, a second insulating film 108 provided on the first insulating film and including aluminum oxide and silicon oxide, and a first metal silicide gate electrode 109 provided on the second gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｐチャネルＭＯＳトランジスタであって、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜１０６と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第２のゲート絶縁膜１０８と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属シリサイドゲート電極１０９とを含む前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁