例文 (3件) |
metal aluminum oxide transistorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
An aluminum film is provided between a first gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of an n-channel insulating gate transistor and a first metal gate electrode, and an aluminum oxide film is provided between a second gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of a p-channel insulating gate transistor and a second metal gate electrode.例文帳に追加
nチャネル絶縁ゲートトランジスタのSiO_2より誘電率の高い第1のゲート絶縁膜と第1金属ゲート電極との間にアルミニウム膜を設けるとともに、pチャネル絶縁ゲートトランジスタのSiO_2より誘電率の高い第2ゲート絶縁膜と第2金属ゲート電極との間に酸化アルミニウム膜を設ける。 - 特許庁
In the display device equipped with the thin film transistor, the transparent electrode layer, and the aluminum alloy film layer for wiring, a transparent metal oxide layer is disposed between the transparent electrode layer and the aluminum alloy film layer so as to make them electrically connected with each other.例文帳に追加
薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスにおいて、透明電極層とアルミニウム合金膜層との間に透明金属酸化物層を設けて、電気的に接続されたものとした。 - 特許庁
The semiconductor device is characterized by comprising a semiconductor substrate and a p-channel MOS transistor provided on the semiconductor substrate, the transistor including a first gate insulating film 106 including Hf, a second insulating film 108 provided on the first insulating film and including aluminum oxide and silicon oxide, and a first metal silicide gate electrode 109 provided on the second gate insulating film.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたpチャネルMOSトランジスタであって、Hfを含む第1のゲート絶縁膜106と、前記第1のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第2のゲート絶縁膜108と、前記第2のゲート絶縁膜上に設けられた第1の金属シリサイドゲート電極109とを含む前記pチャネルMOSトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁
例文 (3件) |
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