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The second surface channel MOSFET is equipped with a second gate insulating film 116 formed on the semiconductor substrate 100, and a second gate electrode 118 formed of thigh- milting metal or metal compound provided on the second gate insulting film 116.例文帳に追加
第２の表面チャネル型ＭＯＳＦＥＴは、半導体基板１００上に形成された第２のゲート絶縁膜１１６と、第２のゲート絶縁膜１１６上に形成された、高融点金属又は高融点金属の化合物よりなる高融点金属膜１１７からなる第２のゲート電極１１８とを有している。 - 特許庁
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