optoelectronic integrationとは 意味・読み方・使い方

To provide an optoelectronic integrated circuit which is, with a hetero-junction bipolar transistor and a photodiode connected together with no degradation in electric signal, excellent in operation speed and photosensitivity, with no degradation in high integration degree which is a feature of overall re-growth.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びフォトダイオードが電気信号の劣化を伴うことなく接続され、全面再成長の特徴である高集積度を損ねることなく、動作速度及び受光感度に優れた光電子集積回路を提供する。 - 特許庁

The level of integration of a semiconductor optoelectronic device is improved by the semiconductor cap layer, such as an InGaAs cap layer having a thickness of ≤200 nm together with the pure metal layer and, in addition, fewer impurities are introduced in the formation of an ohmic contact than with prior art alloy contacts.例文帳に追加

本発明では、厚さ200nm以下のInGaAs保護膜層のような半導体保護膜層を厚さ10nm以下の極薄の純金属層と共に用いて、これにより半導体光電子デバイスの集積レベルを向上させると共に、オーミック接触の形成において従来法の合金接触よりも少量の不純物が導入されるに過ぎない。 - 特許庁