oxide semiconductor layerとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SILICON OXIDE LAYER例文帳に追加

シリコンオキシド層を含む半導体素子の製造方法 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor layer has a structure in which a gate insulating layer as a gallium oxide film is in contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。 - 特許庁

The electronic element has a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, wherein the first semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a copper oxide, and the second semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a rare earth iron oxide.例文帳に追加

第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子において、第１の半導体層を、酸化銅で形成した酸化物半導体層とし、第２の半導体層を、希土類鉄酸化物で形成した酸化物半導体層とする。 - 特許庁

There is provided a photoelectric conversion element comprising at least a metal oxide semiconductor layer, a buffer layer stacked on the metal oxide semiconductor layer so as to contact the metal oxide semiconductor layer, and a light absorbing layer stacked on the buffer layer on a side opposite to the metal oxide semiconductor layer so as to contact the buffer layer.例文帳に追加

この光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 11 contains oxide semiconductor particles 11a made of the oxide containing the cerium.例文帳に追加

酸化物半導体層１１は、セリウムを含む酸化物から形成された酸化物半導体粒子１１ａを含む。 - 特許庁

OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

酸化物半導体層およびその形成方法ならびに半導体装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ZnO-BASED OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法 - 特許庁

A channel layer 11 is formed of a semiconductor layer, such as a zinc oxide ZnO layer.例文帳に追加

チャネル層１１は、例えば、酸化亜鉛ＺｎＯ等の半導体で形成される。 - 特許庁