photocathodesとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 photocathodeの複数形。光電面; フォトカソード; 光陰極; 光電陰極; 光カソード
photocathodesの | 「photocathodes」は名詞「photocathode」の複数形です |
「photocathodes」を含む例文一覧
該当件数 : 9件
ii. Photocathodes which use gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material発音を聞く 例文帳に追加
2 主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いたもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
ii. Photocathodes using gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material発音を聞く 例文帳に追加
2 主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極 - 日本法令外国語訳データベースシステム
This structure allows to obtain a photocathodes 1A and 1B having a dramatically-improved quantum efficiency.例文帳に追加
この構造により、飛躍的に向上した量子効率を有する光電陰極1A,1Bが得られる。 - 特許庁
i. Photocathodes which use a multi-alkali for the main material and in which lumen sensitivity exceeds 700 microamperes per lumen発音を聞く 例文帳に追加
1 主材料にマルチアルカリを用いたものであって、ルーメン感度が七〇〇マイクロアンペア毎ルーメンを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.)発音を聞く 例文帳に追加
3 主材料にIII—V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。)を用いたもの(最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。) - 日本法令外国語訳データベースシステム
iii. Photocathodes using a III-IV compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less)発音を聞く 例文帳に追加
3 主材料にIII—IV族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。)を用いた光電陰極(最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。) - 日本法令外国語訳データベースシステム
v) Among equipment which uses optical detectors having a direct field of vision, that which falls under any of the following (excluding medical equipment which do not have built-in photocathodes and which uses gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material発音を聞く 例文帳に追加
五 光検出器を用いた装置であって、直視型のもののうち、次のいずれかに該当するもの(医療用装置であって、主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極を組み込んでいないものを除く。) - 日本法令外国語訳データベースシステム
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「photocathodes」を含む例文一覧
該当件数 : 9件
Thus, for example, at the time of heat treatment in a manufacturing step of the photocathodes 1A, 1B, diffusion of alkali metal contained in the photoelectron emitting layer 300 to the support substrates 100A, 100B side is suppressed.例文帳に追加
これにより、例えば光電陰極1A,1Bの製造工程における熱処理時に、光電子放出層300に含まれるアルカリ金属の支持基板100A,100B側への拡散が抑制される。 - 特許庁
In the photocathodes 1A, 1B, a base layer 200 consisting of a crystalline material containing La_2O_3 is installed between support substrates 100A, 100B and a photoelectron emitting layer 300, and is in contact with the photoelectron emitting layer 300.例文帳に追加
光電陰極1A,1Bにおいては、La_2O_3を含む結晶性の材料からなる下地層200が支持基板100A,100Bと光電子放出層300との間に設けられ、光電子放出層300に接触している。 - 特許庁
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