planar dopingとは 意味・読み方・使い方

An epitaxial wafer containing a carrier at a high concentration is obtained by forming an Se-doped layer 3a, which is doped with Se (or Te or S) as an n-type dopant by a uniform doping method or a planar doping method on a compound semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハに、ｎ型ドーパントとしてＳｅ（若しくはＴｅ、Ｓ）を均一ドープ法若しくはプレーナドープ法でドーピングしたＳｅドープ層３ａを形成することにより、高キャリア濃度のエピタキシャルウェハが得られる。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed.例文帳に追加

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The electrically conductive well (2) is generated by means of high-energy ion implantation and subsequent heating, so that it has a doping profile which either has a maximum located at a depth T_1 from the planar surface (5) of the electrically conductive well (2), or is essentially constant up to a depth T_2.例文帳に追加

導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 - 特許庁