random element methodとは 意味・読み方・使い方

DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

METHOD FOR CREATING CONDUCTIVE PATH AND METHOD FOR MANUFACTURING RANDOM NUMBER GENERATION ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

導電経路の作成方法とこれを用いた乱数発生素子の製造方法 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法 - 特許庁

SINGLE-TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT, ITS DRIVING METHOD AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

単一トランジスタ型磁気ランダムアクセスメモリ素子及びその駆動方法並びにその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

To provide a resistance random access memory element achieving small variations in switching characteristics and suitable for high integration, and to provide a method of controlling the resistance random access memory element.例文帳に追加

スイッチング特性のバラツキが小さく高集積化に適した抵抗変化型メモリ素子および抵抗変化型メモリ素子制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, PORTABLE TERMINAL APPARATUS, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCTION APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 - 特許庁