「random element method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

METHOD FOR CREATING CONDUCTIVE PATH AND METHOD FOR MANUFACTURING RANDOM NUMBER GENERATION ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

導電経路の作成方法とこれを用いた乱数発生素子の製造方法 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法 - 特許庁

SINGLE-TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT, ITS DRIVING METHOD AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

単一トランジスタ型磁気ランダムアクセスメモリ素子及びその駆動方法並びにその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

To provide a resistance random access memory element achieving small variations in switching characteristics and suitable for high integration, and to provide a method of controlling the resistance random access memory element.例文帳に追加

スイッチング特性のバラツキが小さく高集積化に適した抵抗変化型メモリ素子および抵抗変化型メモリ素子制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, PORTABLE TERMINAL APPARATUS, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCTION APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 - 特許庁

To provide a device for authentication using an intrinsic random number generating element or a pseudo random number generating element, for example, a universal serial bus (USB) token, as well as an authentication apparatus, an authentication method and an authentication system or the like using the device.例文帳に追加

真性乱数発生素子あるいは擬似乱数発生素子を用いた認証用デバイス、例えばＵＳＢトークン、及び、これを用いた認証装置、認証方法、認証システム等を提供する。 - 特許庁

A method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。 - 特許庁

To provide a method for visualizing distribution of a magnetic field without a random phase using electron holography, which relates to a measuring method of a magnetic leakage field and an evaluation method of an element.例文帳に追加

漏洩磁場の測定方法及び素子評価方法に関し、電子線ホログラフィーを用いて位相に任意性のない磁場分布を視覚化する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルク注入ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子にデータを書込むための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory in which a current for magnetization inversion is sufficiently secured in a magnetoresistive effect element, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子において磁化反転のための電流を十分に確保した磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the mounting method of the element which mounts a plurality of elements on the mounting substrate, the elements are dropped naturally in a fluid whereby the elements are arranged on the mounting substrate at random.例文帳に追加

実装基板上に複数の素子を実装する素子の実装方法であって、上記素子を流体中で自然落下させることにより当該素子を上記実装基板上にランダムに配置する。 - 特許庁

The method, further, includes the drilling of the hole in the ring structure, by removing at least one element from the ring structure, in order to remove the statistical artifact of the random number sequence expressed by the second number base.例文帳に追加

この方法は、さらに、第２基数で表された乱数列の統計的アーティファクトを除去するために少なくとも１つの要素をリング構造から除去することによってリング構造に穴をあけることを含む。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

The optimal designing method of an antenna comprises a step for constituting a rod antenna of a prism or a circular cylinder, a step for generating an antenna element pattern on the side face of the prism or the circular cylinder, and a step for searching the antenna element pattern for optimizing antenna characteristics of the rod antenna using genetic algorithm or a random search method.例文帳に追加

本発明に係るアンテナ最適設計方法は、多角柱又は円柱によって前記ロッド型アンテナを構成する工程と、前記多角柱又は前記円柱の側面上にアンテナ素子パターンを生成する工程と、遺伝的アルゴリズム又はランダムサーチ法を用いて、前記ロッド型アンテナのアンテナ特性が最適となる前記アンテナ素子パターンを探索する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a spin injection magnetization reversal element which has high perpendicular magnetic anisotropy and moreover does not deteriorate the perpendicular magnetic anisotropy by heat treatment, a magnetic random access memory and an optical modulator constituted by using this spin injection magnetization reversal element, a display device, a holography apparatus, and a hologram recording apparatus constituted by using this optical modulator, and a method of manufacturing the optical modulator.例文帳に追加

高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。 - 特許庁