rotational diffusion coefficientとは意味・読み方・使い方

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意味・対訳回転拡散係数

JST科学技術用語日英対訳辞書での「rotational diffusion coefficient」の意味

rotational diffusion coefficient

回転拡散係数

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該当件数 : 1件

例文

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒＪｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

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