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rotational diffusion coefficientの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加
回転イオン注入法を用いてAsおよびBをトレンチ3の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ3で挟まれたn^- 型エピタキシャルSi層を、横方向に並んだn型ピラー層5/p型ピラー層4/n型ピラー層5からなる、実質的にSuper Junction構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁
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