self-interstitialsとは 意味・読み方・使い方

The method of producing the single crystal silicon comprises controlling growing conditions, such as, growth velocity v, an instantaneous axial temperature gradient G_0, and a cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects.例文帳に追加

本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度ｖ、瞬時軸温度勾配Ｇ_０、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。 - 特許庁

The method comprises controlling growth conditions, such as growth velocity v, instantaneous axial temperature gradient G_o, and the cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects.例文帳に追加

本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度ｖ、瞬時軸温度勾配Ｇ_０、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。 - 特許庁

During the formation of the contact structure which is formed by forming a thin layer of a pure metal on a semiconductor cap layer, the thin metal layer is caused to react with the cap layer, and the migration of impurities to the active area of the semiconductor device is prevented by trapping mobile impurities and self-interstitials diffusing within the cap layer and in nearby metal layers in the resulting reacted layer.例文帳に追加

純金属の薄い層を半導体保護膜層上に形成し、接触構造の形成中に、この薄い金属層を保護膜層と反応させ、結果的に得られる反応層によって保護膜層及び近傍の金属層内に拡散する移動性不純物及び自己侵入物をトラップして、半導体デバイスのアクティブ領域内へのマイグレーションを防止する。 - 特許庁