source‐drain spacingの英語

To provide a semiconductor device in which the source-drain spacing can be downsized while assuring the source-drain breakdown voltage.例文帳に追加

ソース−ドレイン間の耐圧を確保しつつ、その間隔の微細化を可能にした半導体装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises the element isolation insulating film 2 formed in a SOI layer 13 interposing an element-forming region, source/drain regions 8a, 8b formed in the element-forming region interposing a channel region, and titanium silicide films 40 formed on the source/drain regions 8a, 8b spacing away from the element isolation insulating film 2.例文帳に追加

ＳＯＩ層１３に素子形成領域を挟んで形成される素子分離酸化膜２と、素子形成領域にチャネル領域を挟んで形成されるソース／ドレイン領域８ａ，８ｂと、素子分離酸化膜２と間隔を隔ててソース／ドレイン領域８ａ，８ｂに形成されるチタンシリサイド膜４０とを備えている。 - 特許庁

A storage node 1 connected electrically to one of source/drain regions 12 of a MOS transistor 20 is formed along a sidewall and a bottom wall of an aperture 6 formed in a silicon nitride film 24, a BPTEOS film 4 and a TEOS film 5; and has a plurality of crystal grains each arranged with a spacing from adjoining crystal grains on a surface of the storage node 1.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ２０のソース／ドレイン領域１２の一方に電気的に接続されたストレージノード１は、シリコン窒化膜２４、ＢＰＴＥＯＳ膜４およびＴＥＯＳ膜５に設けられた開口部６の側壁および底壁に沿って形成されており、かつ互いに間隔をあけて配置された複数の結晶粒を表面に有している。 - 特許庁