spectroscopic ellipsometryとは 意味・読み方・使い方

Before the diffraction from a diffracting structure 12c on a semiconductor wafer, the film thickness and index of refraction of a film underneath the structure are first measured using a spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry when required.例文帳に追加

半導体ウェハ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。 - 特許庁

The interface position between the silicon dioxide film and a silicon substrate can be specified using the thickness of the silicon dioxide film evaluated by spectroscopic ellipsometry after forming the silicon dioxide film.例文帳に追加

二酸化シリコン膜を成膜した後に分光エリプソメトリーで評価した二酸化シリコンの膜厚を用いて、二酸化シリコン膜とシリコン基板の界面位置を特定できる。 - 特許庁

Before the diffraction from the diffracting structure 12c on a semiconductor wafer 12a is measured, the film thickness and index of refraction of a film 12b underneath the structure are first measured using spectroscopic reflectometry 60 or spectroscopic ellipsometry 34 when required.例文帳に追加

半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。 - 特許庁

A second semiconductor region 24 is etched, and a thickness F of a second mask layer 25a is measured by spectroscopic ellipsometry during its etching time period, and stop of the etching is determined using a measurement value by the measurement and the selection ratio K.例文帳に追加

第２の半導体領域２４をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第２のマスク層２５ａの厚さＦを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Ｋとを用いてエッチングの停止を判断する。 - 特許庁