stacking fault groupとは 意味・読み方・使い方

To provide a fieldeffect transistor whose stacking fault is small in density using a group-III nitride semiconductor having a nonpolar surface as a principal surface.例文帳に追加

非極性面を主面としたIII族窒化物半導体を用いて、積層欠陥の密度が小さい電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; boron (B); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu).例文帳に追加

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、ホウ素（Ｂ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。 - 特許庁

The rolled copper foil includes: copper (Cu) as the main component with inevitable impurities; titanium (Ti); silver (Ag); and one or more kinds of additive elements selected from an elemental group excluding copper (Cu) and silver (Ag), which has a face-centered cubic crystal structure, and also has the value of stacking fault energy higher than that of copper (Cu).例文帳に追加

本発明に係る圧延銅箔は、主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、チタン（Ｔｉ）と、銀（Ａｇ）と、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）以外で結晶構造が面心立方で、かつ積層欠陥エネルギーの値が銅（Ｃｕ）より大きい値を有する元素群の中から選択される１種以上の添加元素と、を含むことを特徴とする圧延銅箔である。 - 特許庁